Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN

• Project/Area Number: 18686051
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Physical properties of metals
• Research Institution: Japan Fine Ceramics Center
• Principal Investigator: KATO Takeharu Japan Fine Ceramics Center, ナノ構造研究所, 主任研究員 (90399600)
• Project Period (FY): 2006 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥13,520,000 (Direct Cost: ¥10,400,000、Indirect Cost: ¥3,120,000); Fiscal Year 2008: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000); Fiscal Year 2007: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000); Fiscal Year 2006: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
• Keywords: 電子線ホログラフィー / ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属 / 半導体界面 / FIB / 位相

Research Abstract

金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。

Research Products

• [Presentation] 集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点 (2009)
  • Author(s): 加藤丈晴
  • Organizer: ナノテク産業化基盤技術の有効利用および高度化と融合を目指した研究会2009
  • Place of Presentation: レガロ福岡
  • Year and Date: 2009-03-13
• [Presentation] 集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点 (2009)
  • Author(s): 加藤丈晴
  • Organizer: ナノテク産業化基盤技術の有効利用および高度化と融合を目指した研究会2009
  • Place of Presentation: 福岡市
  • Year and Date: 2009-03-13
• [Presentation] TEM試料の作製技術 (2009)
  • Author(s): 加藤丈晴
  • Organizer: JFCC電子顕微鏡スクール
• [Presentation] 集束イオンビーム技術による試料作製 (2008)
  • Author(s): 加藤丈晴
  • Organizer: 第八回結晶界面工学研究会
  • Place of Presentation: 神奈川県三浦郡葉山町
  • Year and Date: 2008-09-06
• [Presentation] 集束イオンビーム技術による試料作製 (2008)
  • Author(s): 加藤丈晴
  • Organizer: 第八回結晶界面工学研究会、生産性国際交流センター