Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
| Project/Area Number |
18686051
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Physical properties of metals
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| Research Institution | Japan Fine Ceramics Center |
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Principal Investigator |
KATO Takeharu Japan Fine Ceramics Center, ナノ構造研究所, 主任研究員 (90399600)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥13,520,000 (Direct Cost: ¥10,400,000、Indirect Cost: ¥3,120,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Fiscal Year 2007: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 2006: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
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| Keywords | 電子線ホログラフィー / ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属 / 半導体界面 / FIB / 位相 |
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| Research Abstract |
金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。
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Report
(4 results)
Research Products
(5 results)
