Development of a novel etching technique using the atmospheric pressure Plasma for fabrication of solar cells
Project/Area Number |
18740355
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Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Research Field |
Plasma science
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Research Institution | University of Miyazaki |
Principal Investigator |
TATSUYA Sakoda University of Miyazaki, 工学部・電気電子工学科, 准教授 (90310028)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥3,580,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2007: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2006: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
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Keywords | 高効率太陽光発電材料・素子 / 材料加工・処理 / マイクロ・ナノデバイス / 沿面放電 / 太陽電池 / 背後電極 / 電極溝 / エッチング / 誘電体バリア放電 |
Research Abstract |
本研究は、大気圧プラズマを用いた新しい太陽電池の高校率化プロセスの開発として、太陽電池用単結晶シリコン基板表面の低反射率化、及び太陽電池回路内の接触抵抗の向上を目的とした電極溝の作製を実施した。その結果、大気圧下で生成した誘電体バリア放電源による表面処理で、125mm角サイズでほぼ均一な低反射率化処理を実現した。また、沿面放電プラズマを用いた太陽電池表面の電極溝の作製に関する研究では、処理時間3sで溝幅100?m以下の微細な電極溝をマスクレスで作製可能できることを明らかにした。
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Report
(4 results)
Research Products
(30 results)