ホウ素架橋型ホスフィンをビルディングブロックとする新規ジホスフィン配位子の創製
| Project/Area Number |
18750091
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Synthetic chemistry
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| Research Institution | Tokushima Bunri University |
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Principal Investigator |
檀上 博史 Tokushima Bunri University, 香川薬学部, 准教授 (70332567)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2007
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2007: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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| Keywords | ホスフィン配位子 / ジホスフィン / ボロニウム / 遷移金属触媒反応 / 不斉水素化 / P-キラル / ポロニウム / ヒドロエステル化 |
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| Research Abstract |
立体的にかさ高いジホスフィン配位子の高効率的創業と念頭に、ビス(ホスフィン)ポロニウム塩と新規に設計・合成した.このものと用いて新たに合成した各種ジホスフィン化合物について、その有用性と確認する意味から、種々の遷移金属触媒反応への適用と検剖した.その結果、リン原子上に不斉中心と有するオルトジホスフィンのロジウム錯体については、デヒドロアミノ酸と始めとするエナミド類の不斉水素化と極めて高い活性ならびに選択性にて触媒することが明らかとなった.またこれとふまえて行った芳香族複素環化合物の不斉水素化においては、このジホスフィンのイリジウム錯体が2-置換キノリン誘導体の不斉水素化と90%の不斉収率にて触媒することが明らかとなった.その他ジホスフィン合成のため鍵中間体となるビス(ホスフィン)ポロニウム塩に岡しても、銅触媒によるアルデヒド類へのアルキル亜鉛の1,2-付加反応において、初期検討の段階ながら60%以上の不斉収率と与えることが確認できた。その他本研究の遂行中に、オルトボラナトホスフィノフルオロベンゼンクロム錯体に対する2級ホスフィンボランの脱プロトン化体の芳香族求核置換反応において、立体障害ならびに電子的な効果により、高収率でパラジホスフィン誘導体が得られることと見出した.また本反応の反応機構と同位体ラベル実験によって検証し、1,5-水素移動と伴ったteleー置換反応が進行していることを明らかにした.
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Report
(2 results)
Research Products
(11 results)
