| Project/Area Number |
18760014
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Tottori University |
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Principal Investigator |
TOMOKI Abe Tottori University, 工学研究科, 准教授 (20294340)
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| Research Collaborator |
安東 孝止 鳥取大学, 工学研究科, 教授
笠田 洋文 鳥取大学, 工学部, 技術専門職員
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,340,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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| Keywords | 共鳴トンネル効果 / 半導体超格子 / ZnSe系ワイドギャップ半導体 / MBE成長 |
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| Research Abstract |
本研究では,ZnSe系II-VI族ワイドギャップ半導体による新光デバイス(青-緑レーザ/発光ダイオード,青-紫外線光検出器など)がもつ技術課題を根本的に解決するために,成長界面に「共鳴トンネル超格子層」を導入した。本技術の確立により,p型GaAs基板結晶からp型ZnSe成長層への正孔注入障壁低減することに成功し,従来成し得なかったデバイス構造を実現し,光検出器,発光ダイオード等のZnSe系青一紫外線領域光デバイスの効率を大幅に向上した。
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