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シリコンフォトニック結晶共振器にPIN構造を集積した光変調器に関する研究

Research Project

Project/Area Number 18760262
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electron device/Electronic equipment
Research InstitutionNTT Basic Research Laboratories

Principal Investigator

田辺 孝純  NTT Basic Research Laboratories, 量子光物性研究部, 社員 (40393805)

Project Period (FY) 2006 – 2007
Project Status Completed (Fiscal Year 2007)
Budget Amount *help
¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,600,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Keywordsフォトニック結晶 / 光スイッチ / 電子デバイス・機器 / 応用光学・量子光工学 / 量子エレクトロニクス
Research Abstract

フォトニック結晶微小光共振器の屈折率を,キャリアを注入させることによって変化させることによって,光変調が実現できる点に着目し,シリコンフォトニック結晶共振器にPIN構造を集積する構造を作製することを目的として研究を遂行した。本年度は評価系の構築およびデバイスの試作を進めた。その過程においてシリコンフォトニック結晶微小光共振器中でのキャリアの時空間ダイナミクスの挙動を知ることが重要であることが明らかになったので,キャリア挙動を輸送方程式に基づくデバイスシミュレータを作成し下記に示す知見を得た。
(1)フォトニック結晶微小光共振器中でキャリアは極めて局所的に発生し,その局所性がフォトニック結晶微小光共振器の動作速度を向上させていることを明らかにした。
(2)フォトニック結晶は空気穴が多数あけられているため,表面再結合によってキャリアが消滅する影響が予想されたが,実際には100ps以内では表面の影響はほとんどないことを明らかにした。本知見は本研究の範囲に限らず,キャリアによって動作するシリコン微小光変調器の熱特性を改善するために重要な知見である。
(3)PIN構造によって,キャリアを注入及び引き出す動作は数10ps以内で行うことが可能であり,その際には表面再結合の影響もほとんど受けないことを明らかにした。本結果は,PIN構造付きフォトニック結晶微小光共振器デバイスを光変調器として用いるだけでなく,PIN構造を用いて熱の発生を抑制できることを示している。
(4)フォトニック結晶微小光共振器では,有効キャリア寿命が光子寿命よりも短い光デバイスとしては極めて特殊な系になっていることを明らかにした。一般的に共振器を用いた変調器では,低動作エネルギー化を狙うためには高Q値共振器を用いればよいが,キャリア効果によるフォトニック結晶微小光共振器変調デバイスでは,効率的な光変調を行うためには最適なQ値が存在することを示した。

Report

(2 results)
  • 2007 Annual Research Report
  • 2006 Annual Research Report
  • Research Products

    (9 results)

All 2008 2007 2006

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (4 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Carrier Diffusion and Recombination in Photonic Crystal Nanocavity Optical Switches2008

    • Author(s)
      Takasumi Tanabe
    • Journal Title

      IEEE/OSAJournal of Lightwave Technology 26

      Pages: 1396-1403

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fast all-optical switching using ion-implanted silicon photonic crystal nanocavities2007

    • Author(s)
      Takasumi Tanabe
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 90

      Pages: 31115-31115

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチおよび5 GHz RZ (Return to Zero)光パルス列変調2006

    • Author(s)
      田辺孝純
    • Journal Title

      レーザー研究 34・12

      Pages: 848-852

    • NAID

      10018792589

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Presentation] Role of carrier diffusion and recombination in photonic crystal nanocavity optical switches2008

    • Author(s)
      Takasumi Tanabe
    • Organizer
      Conference on Lasers and Electro-Optics
    • Place of Presentation
      San Jose,CA,USA
    • Year and Date
      2008-05-08
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] フォトニック結晶微小光共振器におけるキャリアダイナミクスの解明2008

    • Author(s)
      田辺 孝純
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • Year and Date
      2008-03-28
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] シリコンフォトニック結晶共振器を用Laた全光スイッチおよび5GHzRZ(ReturntoZero)光パルス列変調(論文賞受賞記念招待講演)2008

    • Author(s)
      田辺 孝純
    • Organizer
      レーザー学会学術講演会第28回年次大会
    • Place of Presentation
      San Jose,CA,USA
    • Year and Date
      2008-02-01
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] Photonic crystal nanocavities with extremely long photon lifetime and their applications(招待講演)2008

    • Author(s)
      Takasumi Tanabe
    • Organizer
      The 6th Asia Pacific Laser Symposium
    • Place of Presentation
      Nagoya,Japan
    • Year and Date
      2008-01-31
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 光双安定素子及びメモリ安定化方法2008

    • Inventor(s)
      田辺 孝純 他
    • Industrial Property Rights Holder
      日本電信電話株式会社
    • Industrial Property Number
      2008-081094
    • Filing Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 高速スイッチング素子及びスイッチ高速化方法2008

    • Inventor(s)
      田辺 孝純 他
    • Industrial Property Rights Holder
      日本電信電話株式会社
    • Industrial Property Number
      2008-081092
    • Filing Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2007 Annual Research Report

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Published: 2006-04-01   Modified: 2016-04-21  

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