Basic research on nanostructure control for the fabrication of ultra-wide bandgap oxide quantum devices by mist CVD
Project/Area Number |
18H01873
|
Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
|
Research Institution | Kochi University of Technology |
Principal Investigator |
|
Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2022-03-31
|
Project Status |
Completed (Fiscal Year 2021)
|
Budget Amount *help |
¥17,810,000 (Direct Cost: ¥13,700,000、Indirect Cost: ¥4,110,000)
Fiscal Year 2021: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2019: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2018: ¥10,790,000 (Direct Cost: ¥8,300,000、Indirect Cost: ¥2,490,000)
|
Keywords | ミストCVD / 気液混相流 / 反応メカニズム / 酸化ガリウム / 酸化亜鉛 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / ショットキーバリアダイオード(SBD) / 超ワイドバンドギャップ金属酸化物 / 量子素子 / 低環境負荷 / 反応活性・支援 / ミスト流 / 装置試作 / 超高品質化 / 反応制御 / デバイス試作 / α-Ga2O3 / 反応メカニズム解明 / 超ワイドバンドギャップ金属酸化物量子素子 / 反応活性 |
Outline of Final Research Achievements |
For the purpose of establishing a global safe and secure life and adapting to an information-oriented society with ultra-high speed and ultra-large capacity while ensuring global environmental protection, I aimed to fabricate α-Al2(1-x)Ga2xO3 based deep ultraviolet LED and high mobility transistors by mist CVD. A technique for manipulating the composition and characteristics of various functional thin films have been built and a technique for controlling the surface roughness of Ga2O3 based functional thin films and the advantages of using mist CVD in synthesizing them have been found. Also, a Schottky barrier diode (SBD) and a high electron mobility transistor (HEMT) have been fabricated and a Si:AlGaOx thin film device with a bandgap of 6.22 eV, which is equivalent to AlN, have been succeeded in demonstration. On the other hand, due to budgetary problems and countermeasures against new infectious diseases, some research cannot be carried out and it is regrettable.
|
Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
気液混相(ミスト)流を利用する事で、(ア)独立な操作変数数の拡張による操作変数選択自由度の向上と、(イ)反応場雰囲気制御範囲の拡張が可能となり、極めて高度に反応を制御できる可能性がある事を示すことに成功した。つまり、ミストCVDは未来デバイスを合成するための強力な技術であることを示せた。
|
Report
(4 results)
Research Products
(51 results)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Growth Mechanism of mist CVD2019
Author(s)
Toshiyuki Kawaharamura, Liu Li, Phimolphan Rutthongjan, Shota Sato, Mariko Ueda, Tatsuya Yasuoka, Yuki Tagashira, Tamako Ozaki, Yuna Ishikawa, Miyabi Fukue, Giang T. Dang
Organizer
Materials Research Meeting 2019
Related Report
Int'l Joint Research / Invited
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Thin Film Growth Mechanism in CVD using Flow Containing Mist Droplets2019
Author(s)
Toshiyuki Kawaharamura, Misaki Nishi, Li Liu, Masahito Sakamoto, Phimolphan Rutthongjan, Shota Sato, Mariko Ueda, Tatsuya Yasuoka, Yuki Tagashira, Tamako Ozaki, Giang T. Dang
Organizer
The 2019 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS)
Related Report
Int'l Joint Research
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] ミストCVD法によるn型およびp型ZnO成膜への挑戦2019
Author(s)
西 美咲, 劉 麗, ルトンジャン ピモンパン, 佐藤 翔太, 上田 真理子, 安岡 龍也, 長谷川 諒, 田頭 侑貴, 尾崎 珠子, 鄧 太 江, 川原村 敏幸
Organizer
第66回応用物理学会春季学術講演会
Related Report
-
[Presentation] ミストCVDにおける薄膜成長メカニズム2019
Author(s)
川原村 敏幸, 西 美咲, 劉 麗, 坂本 雅仁, ルトンジャン ピモンパン, 佐藤 翔太, 上田 真理子, 安岡 達也, 長谷川 諒, 田頭 侑貴, 尾崎 珠子, 鄧 太 江
Organizer
第66回応用物理学会春季学術講演会
Related Report
-
-
-
[Presentation] ミストCVD における酸化亜鉛薄膜形成時の水の効果2019
Author(s)
ルトンジャン ピモンパン, 西 美咲, 川原村 敏幸, 坂本 雅仁, 劉 麗, 佐藤 翔太, 上田 真理子, 安岡 龍哉, 長谷川 諒, 尾崎 珠子, 鄧 太 江
Organizer
第66回応用物理学会春季学術講演会
Related Report
-
[Presentation] ミストCVD法における原料溶媒が薄膜成長に及ぼす影響2019
Author(s)
坂本 雅仁, 安岡 龍哉, 西 美咲, 劉 麗, ルトンジャン ピモンパン, 佐藤 翔太, 上田 真理子, 田頭 侑貴, 長谷川 諒, 尾崎 珠子, 鄧 太 江, 川原村 敏幸
Organizer
第66回応用物理学会春季学術講演会
Related Report
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-