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Control of energy levels of semiconductor colloidal nano-dots for high-speed organic memory transistors

Research Project

Project/Area Number 18K04237
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionWakayama University

Principal Investigator

Tanaka Ichiro  和歌山大学, システム工学部, 教授 (60294302)

Project Period (FY) 2018-04-01 – 2021-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2020)
Budget Amount *help
¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2020: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2019: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2018: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Keywords有機メモリトランジスタ / 半導体コロイダルナノドット / 配位子交換 / エネルギーレベル制御 / 記録時間 / 保持特性 / フローティングゲート / ペンタセン / エネルギー準位制御 / 配位子 / 光照射 / エネルギー準位 / 薄膜 / メモリトランジスタ
Outline of Final Research Achievements

The organic memory transistors using monolayer of semiconductor colloidal nano-dots (CNDs) as a floating gate demonstrated a large memory effect; a large shift of their threshold voltages was observed in their transfer characteristics. However, there remained a room for improvement in their writing time and retention characteristics. It was considered that the threshold voltage shift was due to the electrons that tunnelled from the organic layer into the semiconductor CNDs when a writing voltage was applied. Therefore, we lowered the energy levels in the semiconductor CNDs to reduce (increase) the energy difference from the highest occupied (the lowest unoccupied) molecular orbitals of the organic semiconductors by ligand-exchange and increased core-diameter of the CNDs. As a result, we considerably improved the writing and retention times of the organic memory transistors.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

有機エレクトロニクスには柔軟性、低コスト、生体親和性などの特徴があり、新規市場の開拓を目指していろいろなデバイスが開発されている。なかでも不揮発性メモリデバイスの開発は、無機エレクトロニクスの場合と同様に重要性である。半導体コロイダルナノドット(CND)は有機材料と親和性の良いナノ材料であり、エネルギーレベルの制御が比較的容易にできるという特徴がある。本研究では、このようなCNDの特徴を生かして有機メモリトランジスタの特性を大きく改善した点に学術的意義があり、今後有機メモリの性能を向上させるための指針が得られたので、有機エレクトロニクスの発展に寄与できることに社会的意義がある。

Report

(4 results)
  • 2020 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2019 Research-status Report
  • 2018 Research-status Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2021 2020 2018 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (4 results) Remarks (5 results)

  • [Journal Article] Pentacene memory transistors using ligand-exchanged and energy-level-controlled PbS colloidal nano-dots for charge-trapping layers2021

    • Author(s)
      Seiya Ihara, Kazuyuki Uno, and Ichiro Tanaka
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 60 Issue: 2 Pages: 028001-028001

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abdd01

    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 配位子交換によりエネルギー準位を制御したPbSコロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ2021

    • Author(s)
      井原聖矢、宇野 和行、田中 一郎
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会 18p-P04-8
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
  • [Presentation] PbSコロイダルナノドットをフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタの配位子交換による特性改善2020

    • Author(s)
      井原聖矢、宇野和行、田中一郎
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会 12p-PA5-33
    • Related Report
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  • [Presentation] 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタにおける作製プロセスの検討2018

    • Author(s)
      竹市祐実、宇野和行、田中一郎
    • Organizer
      薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会
    • Related Report
      2018 Research-status Report
  • [Presentation] 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタにおける光照射効果2018

    • Author(s)
      竹市祐実、宇野和行、田中一郎
    • Organizer
      2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2018 Research-status Report
  • [Remarks] 和歌山大学システム工学部電子材料グループ

    • URL

      http://portal.sys.wakayama-u.ac.jp/mc/semiG/index.php/

    • Related Report
      2020 Annual Research Report
  • [Remarks] 和歌山大学 研究者総覧

    • URL

      http://wakarid.center.wakayama-u.ac.jp/ProfileRefMain_2063.html

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  • [Remarks] 和歌山大学システム工学部電子材料グループ

    • URL

      http://portal.sys.wakayama-u.ac.jp/mc/semiG/index.php

    • Related Report
      2019 Research-status Report
  • [Remarks] 和歌山大学 研究者総覧

    • URL

      http://wakarid.center.wakayama-u.ac.jp/ProfileRefMain_2063.html

    • Related Report
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  • [Remarks] 電子材料グループ 和歌山大学システム工学部

    • URL

      http://portal.sys.wakayama-u.ac.jp/mc/semiG/index.php

    • Related Report
      2018 Research-status Report

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Published: 2018-04-23   Modified: 2022-01-27  

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