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Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films

Research Project

Project/Area Number 18K04958
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research InstitutionWakayama University

Principal Investigator

Uno Kazuyuki  和歌山大学, システム工学部, 准教授 (90294305)

Project Period (FY) 2018-04-01 – 2021-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2020)
Budget Amount *help
¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2020: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2019: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Keywordsα型酸化ガリウム / ミストCVD法 / 結晶成長機構 / 錯体化速度 / 結晶成長メカニズム / 配位子交換 / アセチルアセトナート錯体化速度 / スズのメモリ効果 / ドーピング技術 / 結晶成長 / 量子井戸構造 / パワーデバイス / 深紫外デバイス / 酸化物半導体 / 量子構造 / 光物性
Outline of Final Research Achievements

In this study, mist CVD method was used for the growth of alpha type gallium oxide (alpha-Ga2O3) thin films. High quality alpha-Ga2O3 thin films, alpha-(AlGa)2O3 alloy thin films, and their heterostructures were prepared while clarifying the crystal growth mechanism. As a result, the following results were obtained. (1) alpha-Ga2O3 and alpha-(AlGa)2O3 mixed films are produced by their acetylacetonation of source solutions and ligand exchange mechanisms of Ga and Al ions. (2) The complexation rate of Al ions was quantitatively clarified. (3) We found that tin has a memory effect.
Although the present study did not carried out the fabrication of heterostructures, we were able to realize a method for obtaining the necessary alloy thin films with high flatness based on the crystal growth mechanism.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

学術的意義として主要なものは,検討されることが少なかった酸化ガリウム薄膜のミストCVD法の成長メカニズムが明らかになったことである。さらに,AlGaO混晶薄膜でも同じ成長メカニズムをもつことも示すことができた。また,Alのアセチルアセトナート錯体化の速度を定量的に評価したことは,新しい化学的な知見であるだけでなく,Alイオンを含む水溶液を使ってミストCVD成長を行うための重要な指針を与えるものである。
以上の研究成果は,カーボンゼロやSociety5.0を実現するためのパワーデバイスとして期待される酸化ガリウムの応用にも重要な知見を与えるものと期待される。

Report

(4 results)
  • 2020 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2019 Research-status Report
  • 2018 Research-status Report
  • Research Products

    (20 results)

All 2021 2020 2019 2018

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (16 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results)

  • [Journal Article] Growth mechanism ofα-Ga2O3on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions2020

    • Author(s)
      Uno Kazuyuki、Ohta Marika、Tanaka Ichiro
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 117 Issue: 5 Pages: 052106-052106

    • DOI

      10.1063/5.0014056

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  • [Patent(Industrial Property Rights)] 成膜方法及び成膜装置2020

    • Inventor(s)
      渡部武紀,橋上洋,坂爪崇寛,宇野和行
    • Industrial Property Rights Holder
      和歌山大学,信越化学工業
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2020-148776
    • Filing Date
      2020
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  • [Patent(Industrial Property Rights)] 積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法2019

    • Inventor(s)
      渡部武紀,橋上洋,坂爪崇寛,宇野和行
    • Industrial Property Rights Holder
      渡部武紀,橋上洋,坂爪崇寛,宇野和行
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2019
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  • [Patent(Industrial Property Rights)] 金属膜形成方法2019

    • Inventor(s)
      渡部武紀,橋上洋,坂爪崇寛,宇野和行,松本一寿
    • Industrial Property Rights Holder
      渡部武紀,橋上洋,坂爪崇寛,宇野和行,松本一寿
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2019
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Published: 2018-04-23   Modified: 2022-01-27  

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