Carrier generation in wide-gap p-type semiconductors with their valence band composed of metal s-orbital

• Project/Area Number: 18K05285
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: Kikuchi Naoto 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (20308589)
• Project Period (FY): 2018-04-01 – 2021-03-31
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000); Fiscal Year 2020: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000); Fiscal Year 2019: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2018: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
• Keywords: 酸化物半導体 / p型半導体 / キャリア生成機構 / ワイドバンドギャップ / 透明酸化物 / パイロクロア構造

Outline of Final Research Achievements

Correlation between carrier generation and crystal structure on new p-type oxide semiconductors in which valence band consists of Sn 5s or Bi 6s orbitals was revealed in this study. It was found that hole carriers were generated by defects in which the central cation of the octahedron in the crystal structure was substituted by the cation with lower valence and compensated by the electron generated by oxygen vacancy, and the generation of oxygen vacancies were strongly affected by the crystal structure of oxides.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

酸化物の特徴的な電子構造に起因し、実現が難しかった高移動度が期待できる新しいp型酸化物半導体について、結晶構造を切り口としてキャリア生成と電荷補償のメカニズムを明らかにしたものである。この物質群は研究代表者がp型化に初めて成功したものであり、上記メカニズムの解明と合わせて学術的に独創性が高い。また本成果は新らしい関連材料の探索や特性向上に寄与するものであり、地球上で安定かつ豊富に存在する酸化物をつかった電子デバイスの実現につながるものである。

Research Products

• [Journal Article] Electrical and optical properties of wide-gap n-type Sn2Ta2O7 films (2019)
  • Author(s): Suzuki Shunichi、Nishio Keishi、Kikuchi Naoto
  • Journal Title: Journal of Vacuum Science & Technology A Volume: 37 Issue: 3 Pages: 031501-031501
  • DOI: 10.1116/1.5081991
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Effect of Crystal Structure on Hole Carrier Generation in Wide-gap P-type Tin-Niobate (2019)
  • Author(s): Samizo Akane、Kikuchi Naoto、Nishio Keishi
  • Journal Title: MRS Advances Volume: 4 Issue: 1 Pages: 27-32
  • DOI: 10.1557/adv.2018.687
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Carrier Generation in p-Type Wide-Gap Oxide: SnNb2O6 Foordite (2018)
  • Author(s): Samizo Akane、Kikuchi Naoto、Aiura Yoshihiro、Nishio Keishi、Mibu Ko
  • Journal Title: Chemistry of Materials Volume: 30 Issue: 22 Pages: 8221-8225
  • DOI: 10.1021/acs.chemmater.8b03408
  • Peer Reviewed
• [Presentation] 酸素雰囲気アニールによるp型α-SnWO4のキャリア濃度向上 (2021)
  • Author(s): 土橋優香、菊地直人、簑原誠人、三溝朱音、西尾圭史
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] p型半導体スズニオブ酸化物におけるスズ周辺の酸素欠陥生成 (2021)
  • Author(s): 三溝朱音、菊地直人、簑原誠人、阪東恭子、相浦義弘、壬生攻、西尾圭史
  • Organizer: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] EXAFSを用いたIn3+添加Bi2Sn2O7の局所構造解析 (2021)
  • Author(s): 佃康平、菊地直人、簑原誠人、三溝朱音、土橋優香、西尾圭史
  • Organizer: 第34回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
• [Presentation] In3+添加Bi2Sn2O7におけるサイト選択的な酸素欠損生成 (2020)
  • Author(s): 佃康平、三溝朱音、土橋優香、西尾圭史、菊地直人、簑原誠人
  • Organizer: 日本セラミクックス協会 第36回 関東支部研究発表会
• [Presentation] 八面体中の欠陥構造を利用したα-SnWO4のp型伝導性の発現 (2020)
  • Author(s): 土橋優香、三溝朱音、佃康平、西尾圭史、菊地直人、簑原誠人、組頭広志
  • Organizer: 日本セラミックス協会 第36回 関東支部研究発表会
• [Presentation] p型三元系Sn2+酸化物における正孔生成と酸素欠陥生成による電荷補償 (2020)
  • Author(s): 三溝朱音、菊地直人、簔原誠人、阪東恭子、相浦義弘、西尾圭史
  • Organizer: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] Sn2Nb2O7におけるSn4+量によるp型伝導性制御の試み (2020)
  • Author(s): 菊地直人、相浦義弘、簔原誠人、三溝朱音、永田進哉、西尾圭史
  • Organizer: 日本セラミックス協会2020年年会
• [Presentation] Sn2+系パイロクロアSn2M2O7(M=Nb, Ta)におけるSn周辺の不規則構造評価 (2020)
  • Author(s): 三溝朱音、西尾圭史、菊地直人、簔原誠人、阪東恭子、相浦義弘
  • Organizer: 日本セラミックス協会2020年年会
• [Presentation] New p-type Sn2(Nb2-xTax)O7 with tunable band gap (2019)
  • Author(s): Samizo Akane, Kikuchi Naoto, Aiura Yoshihiro, Nishio Keishi
  • Organizer: 9th International Conference on Green and Sustainable Chemistry
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 新規p型ワイドギャップSn2+酸化物SnNb2O6における正孔生成 (2019)
  • Author(s): 三溝朱音、菊地直人、相浦義弘、西尾圭史
  • Organizer: 第8回JACI / GSCシンポジウム
• [Presentation] ワイドギャップp型Sn-Nb-O系の局所構造と正孔生成との相関 (2019)
  • Author(s): 三溝朱音、菊地直人、相浦義弘、西尾圭史
  • Organizer: 応用物理学会第66回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] Effect of crystal structure on hole carrier generation in wide-gap p-type tin niobate (2018)
  • Author(s): Samizo Akane、Kikuchi Naoto、Aiura Yoshihiro、Nishio Keishi
  • Organizer: 2018 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Preparation of Wide Gap n-Type Sn2Ta2O7 Polycrystalline Films by Magnetron Sputtering (2018)
  • Author(s): Suzuki Shunichi、Kikuchi Naoto、Aiura Yoshihiro、Nishio Keishi
  • Organizer: 2018 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] ワイドギャップp型酸化物Sn2Nb2O7における構造欠陥量と電気物性との相関 (2018)
  • Author(s): 三溝朱音、永田晋哉、菊地直人、相浦義弘、西尾圭史
  • Organizer: 日本セラミックス協会第31回秋季シンポジウム
• [Book] マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線 (2021)
  • Author(s): 菊地直人、三溝朱音
  • Total Pages: 322
  • Publisher: （株）エヌ・ティー・エス
  • ISBN: 9784860437084