| Project/Area Number |
18K13571
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Review Section |
Basic Section 15020:Experimental studies related to particle-, nuclear-, cosmic ray and astro-physics
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| Research Institution | Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology (2019-2020)
High Energy Accelerator Research Organization (2018) |
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Principal Investigator |
Yamada Miho 東京都立産業技術高等専門学校, ものづくり工学科, 助教 (90714668)
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| Project Period (FY) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2020)
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| Budget Amount *help |
¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
Fiscal Year 2019: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2018: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
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| Keywords | ピクセル検出器 / モノリシック型 / SOI / ILC / 放射線耐性 / ヒッグス / 三次元積層化 / CMOS / 崩壊点検出器 / 高位置分解能 / 高時間分解能 / MOSFET / モノリシック型ピクセル検出器 / 高放射線耐性 |
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| Outline of Final Research Achievements |
High position resolution monolithic pixel detector using Silicon-on-Insulator(SOI) technology have developed for International Liner Collider Experiment. 3 μm of position resolution is required for precise measurement of Higgs boson property.Prototype sensor, SOFIST, have achieved 1.4 μm of position resolution with 3D stacking technology of SOI chips.Double-SOI wafer which has middle Si layer in buried oxide layer and Fowler-Nordheim tunneling performed compensation of radiation damage (1kGy/year at ILC) of SOI wafer and characteristics of transistors of signal readout circuit.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
高エネルギー加速器実験で使用可能なモノリシック型CMOSセンサーとして，1.4μmの位置分解能は世界最高レベルである．また，金マイクロバンプを用いたSOIチップの三次元積層化技術の確立により，20μm角程度の領域内にアナログ・デジタル混在の高機能信号処理回路を実装可能とした．さらに，放射線損傷補償機構を備えたCMOSセンサーは加速器実験のみならず，天文学や放射光施設，医療機器など，放射線を扱うデバイスには広く有用である．
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