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希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現

Research Project

Project/Area Number 19018014
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

Allocation TypeSingle-year Grants
Review Section Science and Engineering
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

藤原 康文  Osaka University, 大学院・工学研究科, 教授 (10181421)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 寺井 慶和  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (90360049)
斗内 政吉  大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
市田 秀樹  大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 助教 (50379129)
Project Period (FY) 2007 – 2008
Project Status Completed (Fiscal Year 2007)
Budget Amount *help
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Keywords秩序制御 / 高次発光機能 / 発光ダイナミクス / 局所構造 / 希土類元素
Research Abstract

現在の半導体レーザ技術は環境温度に対する発振波長の不安定性など、根本的な問題を数多く内包している。本研究では希土類元素特有の発光特性(たとえば、希土類元素発光はバンド間遷移発光に比べて極めて高い波長温度安定性(0.001mm/K)を示す)に着目し、「電流注入による希土類発光準位を介する誘導放出」を用いた波長超安定新規半導体レーザ実現の可能性を探ることに最終目標を設定する。本硬究期間内(平成19〜20年度)では平成17〜18年度の研究成果を踏まえて、研究対象を実デバイス構造試料へ移し、電流注入によるEr励起・緩和機構を明らかにするとともに、その知見に基づくデバイス構造の設計・試作により、電流注入下での高次発光機能の発現に研究の焦点を絞った。
1.有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によりEr添加濃度が極めて低いGaAs:Er,0(1x10^17cm^-3程度)を作製し、光励起によるEr発光特性の測定温度依存性を調べた。低温域で発現する新奇な発光挙動を観測し、Cの関与したオージェ過程によることを明らかにした。
2.それを活性層としたレーザ構造を作製し、GaAsバンド端レーザ発振の可能性と、バンド端レーザ発振がEr-20発光にえる影について調べた。希土類添加半導体を母体として初めて電流注入下でGaAsバンド端レーザ発振を観測することに成功した。また、自然放出領域では、注入キャリアによるオージェ過程によりEr-20発光強度が減少した。一方、誘導放出領域では、Er-20発光強度は一定値を示した。

Report

(1 results)
  • 2007 Annual Research Report
  • Research Products

    (14 results)

All 2008 2007

All Journal Article (10 results) (of which Peer Reviewed: 10 results) Presentation (4 results)

  • [Journal Article] Mechanism of excitation and relaxation in Er, O-codoped GaAs for 1.5Mm light-emitting devices with extremely stable stable wavelength2008

    • Author(s)
      Y., FUJIWARA
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(a) 205

      Pages: 64-67

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electroluminescence properties of GaInP/GaAs:Er, O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature2008

    • Author(s)
      Y., TERAI
    • Journal Title

      Optical Materials (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using2008

    • Author(s)
      Y., TERAI
    • Journal Title

      Journal of Physics:Conference Series (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ultrafast photoexcited carrier carrier dynamis in GaAx:Er,O by pump and probe transmission spectroscopy2008

    • Author(s)
      K., SHIMADA
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(c) (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Nonradiative processes at low temperature in Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy2008

    • Author(s)
      A., FUJITA
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(c) (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] GaAs cmission from GaInP/Er, O-codoped GaAs/GaInP laser diodes growm by organometallic vapor Phase cpitaxy2008

    • Author(s)
      K., FUJII
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(c) (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface grown by organometallic vapour phase epitaxy2008

    • Author(s)
      K., SHIMADA
    • Journal Title

      Applied Physics Letters (印刷中)

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Direct observation of picosecond-scale energy-transfer processes in Er, O-codoped GaAs by pump-prove reflection technique2007

    • Author(s)
      Y., FUJIWARA
    • Journal Title

      Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 893

      Pages: 245-246

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      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] TEGa, TBAsを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温GaAsの作製2007

    • Author(s)
      日高圭二
    • Journal Title

      材料 53

      Pages: 880-885

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      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er, O-codoped GaAs revealed by pump and probe technique2007

    • Author(s)
      Y., FUJIWARA
    • Journal Title

      Physica B 401-402

      Pages: 234-237

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      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] New development in rare-earth doped semiconductors:quantum properties2007

    • Author(s)
      Y, FUJIWARA
    • Organizer
      12回「半遵体スピン工学の基礎と応用」研究会
    • Place of Presentation
      大阪大学 (吹田市)
    • Year and Date
      2007-12-21
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      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] Ultrafast carrier-stapping in Er-doped and Er,O-codoped GaAs revealed by pump and probe tranamission technique2007

    • Author(s)
      Y, FUJIWARA
    • Organizer
      24th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS24)【招待講演】
    • Place of Presentation
      アルバカーキー (米国)
    • Year and Date
      2007-07-24
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  • [Presentation] Injectin-type light-emitting devices fabricated by atomically controlled doping of er to GaAs2007

    • Author(s)
      Y, FUJIWARA
    • Organizer
      2nd Workshop on Photoluminescence in Rare Earths:Photonic Materials and Devices(PRE'07)【招待講演】
    • Place of Presentation
      トレ冫ト (伊国)
    • Year and Date
      2007-06-01
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      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] New approach to Er, GaAs based light-emitting devices with extremely stable wavelength2007

    • Author(s)
      Y, FUJIWARA
    • Organizer
      2007Europen Materan Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007)【招待講演】
    • Place of Presentation
      ストラスブール (仏国)
    • Year and Date
      2007-05-29
    • Related Report
      2007 Annual Research Report

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Published: 2007-04-01   Modified: 2018-03-28  

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