| Project/Area Number |
19028003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
澤村 正也 Hokkaido University, 大学院・研究院, 教授 (40202105)
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| Project Period (FY) |
2007
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
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| Keywords | 不均一系触媒 / シリカゲル / ホスフィン / ヒドロシリル化 / 脱水素シリル化 / 高活性触媒 / 芳香族水素化 / 自己組織化単分子膜 |
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| Research Abstract |
1.シリカ担持かご型ホスフィン[silica]-SMAPに関する研究
シリカゲル表面上にジシロキサン結合を介してSMAP骨格を直接結合させることにより得られるシリカ担持ホスフィン[Silica]-SMAPは、構造的剛直さのため一つの金属中心に対して2つ以上のリン中心で配位することができないことが最大の特徴である。しかもリン原子の周りの立体障害は究極的に小さく、独特の配位空間を形成すると考えられる。本研究では、[Silica]-SMAPと[lrCl(1,5-cyclooctadiene)]]_2から調製される表面固定化Ir錯体が嵩高い多置換アルケンの水素化に非常に高い活性を示すことを見いだした。さらに[Silica]-SMAPと[RhCl(ethylene)_2]]_2から調製される固定化Rh錯体を用いることにより、多置換ベンゼンの水素化にも成功した。
2.アルカンチオール化SMAPの金表面高密度自己組織化と触媒反応への応用に関する研究
まずアルカンチオール化SMAPを合成し、これを用いて金表面上に自己組織化単分子膜を形成させた。表面構造の解析は、XPS,ICP-MS, AFM, CVなどにより行い、表面上でホスフィンがほぼ最密充填していることを明らかにした。そのRh錯体はアルコールの脱水素化に対して高い触媒活性と優れた再利用効率を示した。幅広い一級アルコールに対して室温で高い活性を示す一方、2級アルコールにはまったく活性を示さない点も本触媒系の大きな特徴である。
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