| Project/Area Number |
19104008
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Condensed matter physics II
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
TAKAKI Hidenori (TAKAGI Hidenori) 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40187935)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TAKAYAMA Tomohiro 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (40435657)
ファン ハロルド 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 准教授 (30361611)
花栗 哲郎 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (40251326)
松野 丈夫 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
井上 公 独立行政法人理化学研究所, 強相関電子技術センター, 主任研究員 (00356502)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
HWANG Harold スタンフォード大学, 応用物理学科, 教授 (30361611)
HANAGURI Tetsuo 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (40251326)
MATSUNO Jobu 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
INOUE Isao 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス部門, 主任研究員 (00356502)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2011
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2011)
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| Budget Amount *help |
¥110,240,000 (Direct Cost: ¥84,800,000、Indirect Cost: ¥25,440,000)
Fiscal Year 2011: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Fiscal Year 2010: ¥10,270,000 (Direct Cost: ¥7,900,000、Indirect Cost: ¥2,370,000)
Fiscal Year 2009: ¥15,210,000 (Direct Cost: ¥11,700,000、Indirect Cost: ¥3,510,000)
Fiscal Year 2008: ¥33,930,000 (Direct Cost: ¥26,100,000、Indirect Cost: ¥7,830,000)
Fiscal Year 2007: ¥41,080,000 (Direct Cost: ¥31,600,000、Indirect Cost: ¥9,480,000)
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| Keywords | 酸化物トランジスタ / 超伝導 / 抵抗変化メモリ / スピン軌道相互作用 / 強相関エレクトロニクス / 遷移金属酸化物 / 表面・界面物性 / 二次元電子系 / 半導体物性 |
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| Research Abstract |
We aimed at understanding the basic physics behind oxide electronics and exploiting novel electric-field induced phenomena. An insulator to superconductor transition was achieved in two-dimensional electron system formed at the channel of SrTiO3 transistor. We also succeeded in visualizing conductive filaments, which were produced by reduction of base oxides, in resistive memories composed of binary transition-metal oxides. In heavy 5d Ir oxides with strong spin-orbit coupling, we discovered novel electronic phases such as spin-orbital Mott insulator.
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