Research for Far-infrared-Terahertz Quantum Cascade Lasers using Nitride-based Semiconductors
Project/Area Number |
19206004
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
Principal Investigator |
HIRAYAMA Hideki The Institute of Physical and Chemical Research, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー (70270593)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TERASHIMA Wataru 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 研究員 (30450406)
IKEDA Noriaki 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 研究員 (90267477)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥49,010,000 (Direct Cost: ¥37,700,000、Indirect Cost: ¥11,310,000)
Fiscal Year 2008: ¥19,890,000 (Direct Cost: ¥15,300,000、Indirect Cost: ¥4,590,000)
Fiscal Year 2007: ¥29,120,000 (Direct Cost: ¥22,400,000、Indirect Cost: ¥6,720,000)
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Keywords | テラヘルツ / 量子カスケードレーザ / 窒化物半導体 / 金属プラズモン導波路 / 分子線エピタキシー / サブバンド間遷移 / 自然放出光 / 電流注入 / MBE結晶成長 / 超格子 |
Research Abstract |
窒化物半導体超格子を用いることにより、これまで未開拓周波数領域であった5-12THz帯量子カスケードレーザの開発を行った。原子層レベルで平坦なヘテロ界面を有するGaN/InAlGaN系無歪超格子量子カスケード構造の作製に成功した。また、GaN/AlGaN系量子カスケードレーザ構造を用い、世界で始めて電流注入による窒化物半導体からのテラヘルツ周波数帯のバンド内遷移発光を実現した。
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Report
(3 results)
Research Products
(18 results)