| Project/Area Number |
19340080
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Condensed matter physics I
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| Research Institution | University of Yamanashi |
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Principal Investigator |
TORIKAI Eiko University of Yamanashi, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (20188832)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SHIRAKI Ichiro 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (10399389)
NAGAMINE Kanetada (独)理化学研究所, 山崎原子物理研究室, 名誉研究員 (50010947)
SHIMOMURA Koichiro 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 講師 (60242103)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥19,370,000 (Direct Cost: ¥14,900,000、Indirect Cost: ¥4,470,000)
Fiscal Year 2009: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2007: ¥17,810,000 (Direct Cost: ¥13,700,000、Indirect Cost: ¥4,110,000)
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| Keywords | 半導体 / ミュオン / スピントロニクス / 伝導電子スピン偏極 / スピンエレクトロニクス / ミュエスアール / パルスレーザー / ミュオニウム |
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| Research Abstract |
シリコン等の半導体をスピントロニクス材料に活用するための普遍的な伝導電子スピン偏極度(CEP)測定方法として,ミュオニウムスピン交換反応法の確立を目指し,GaAsの円偏光キャリア励起により,ミュオンがCEPに高い感度を持つことを,初めて証明した.さらにSiへの歪GaAs蒸着膜を介した光励起電子注入により,Si中での3μs以上の長いキャリア寿命と,キャリア拡散の様子の観測に成功し,この方法の普遍性を示した.
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