Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
本研究は、ダイヤモンド超伝導体の電子状態や超伝導発現機構の理解を深め、半導体におこる超伝導という新規な特徴を生かした新しい基礎デバイスの開発を試みるものである。光電子分光やNMR測定を行い、ドープしたホウ素に複数のサイトがあることが理解され、ホウ素が単独に炭素サイトを置換した時のみキャリアがドープされ、ペアーなどを形成した場合キャリアに貢献しないことを明らかにした。デバイスの試作として、二枚の超伝導ダイヤモンド超薄膜の間に絶縁体ダイヤモンド層を積層させ、ダイヤモンド超伝導体で初の積層型ジョセフソン接合の作製に成功した。
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