| Project/Area Number |
19360004
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
SAIKI Koichiro The University of Tokyo, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (70143394)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
IKEDA Susumu 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (20401234)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥18,980,000 (Direct Cost: ¥14,600,000、Indirect Cost: ¥4,380,000)
Fiscal Year 2008: ¥7,930,000 (Direct Cost: ¥6,100,000、Indirect Cost: ¥1,830,000)
Fiscal Year 2007: ¥11,050,000 (Direct Cost: ¥8,500,000、Indirect Cost: ¥2,550,000)
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| Keywords | 有機トランジスタ / 移動度 / 薄膜成長 / 表面エネルギー / ペンタセン / フラレン / セキシチオフェン / 電子分光 / 電界効果トランジスタ / 両極性 / 自己組織化膜 / オリゴチオフェン / フタロシアニン / グラフォエピタキシー / 光電子分光 / 電界効果移動度 / 電荷注入障壁 / ペンクセン / LEEM,PEEM |
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| Research Abstract |
有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
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