Characterization of ErSiO superlattice crystals and development of light emitting devices for silicon photonics
| Project/Area Number |
19360005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
KIMURA Tadamasa The University of Electro-Communications, 電気通信学部, 教授 (50017365)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ISSHIKI Hideo 電気通信大学, 電気通信学部, 准教授 (60260212)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥9,230,000 (Direct Cost: ¥7,100,000、Indirect Cost: ¥2,130,000)
Fiscal Year 2008: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Fiscal Year 2007: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000)
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| Keywords | エルビウムシリケート / 自己整列結晶 / ゾルゲル法 / レーザーアブレーション / アップコンバーション / シリコンフォトニクス / 1.5μm発光素子 / 導波路型光増幅器 / 自己組織化 / ナノ材料 / 光源技術 / ErSiO超格子結晶 / 光導波路形増幅器 / エレクトロルミネセンス |
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| Research Abstract |
高濃度Erを構成元素とするEr_2SiO_5結晶の作製プロセスを開発した。Er_2SiO_5光導波路を設計作製し,1480nm光の導波特性を評価し,高濃度Erによるグリーンのアップコンバーション発光を観測した。Er_xY_<2-x>SiO_5膜を作製し,x=~0.1で1.54μm発光強度がEr_2SiO_5の数倍から数十倍になることを見出した。シミュレーションによると~1mm長のEr_<0.1>Y_<1.9>SiO_5光導波路で10dBの利得が可能である。
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Report
(3 results)
Research Products
(100 results)
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[Presentation] Investigation of low temperature growth of ErSiO superlattice crystals2007
Author(s)
H.Isshiki, T. Ushiyama, K. Tateishi, T.Shimohata, T. Kawaguchi, Y. Tsuneyasu, H.S. Choi, M. Ohe, Y. Nakayama, Y. Tanaka and T. Kimura
Organizer
E-MRS 2007 Spring Meeting
Place of Presentation
Strasbourg, France
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