Growth of diluted bismide III-V semimetal semiconductor alloy GaInAsBi and control of its physical properties
| Project/Area Number |
19360008
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
YOSHIMOTO Masahiro Kyoto Institute of Technology, 工芸科学研究科, 教授 (20210776)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OE Kunishige 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (20303927)
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| Research Collaborator |
TOMINAGA Yoriko 京都工芸繊維大学, 日本学術振興会特別研究員(DC1), 博士後期課程学生
YAMADA Kazuya 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 博士前期課程学生
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥15,340,000 (Direct Cost: ¥11,800,000、Indirect Cost: ¥3,540,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,630,000 (Direct Cost: ¥5,100,000、Indirect Cost: ¥1,530,000)
Fiscal Year 2007: ¥8,710,000 (Direct Cost: ¥6,700,000、Indirect Cost: ¥2,010,000)
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| Keywords | 結晶成長 / 半導体物性 / 光物性 / 超格子 / 電子・電気材料 / 半導体半金属混晶 / 発光波長温度無依存 / 分子線エピタキシー / ビスマス / III-V族半導体 / 多重量子井戸 / レーザダイオード / ホトルミネセンス / インジウムリン |
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| Research Abstract |
本研究では、全く未開拓な混晶半導体であるビスマス系III-V族半導体GaInAsBiの製作法を確立し、その物性の解明を目的としている。分子線エピタキシー法を用いてGaInAsBiが製作可能なことを世界で初めて実証した。GaAs中のBiは偏析しやすいため、量子井戸構造の製作は不可能とされてきたが、本研究で(In)GaAsBi/GaAs量子井戸構造を実現した。InGaAsBi、GaAsBi/GaAs量子井戸構造の発光波長は温度無依存化することを明確にした。
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Report
(3 results)
Research Products
(21 results)
