Electron field emission in air from 5H-BN micro-cone films prepared by plasma-assisted laser CVD

• Project/Area Number: 19360022
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: KOMATSU Shojiro (2010) National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, グループリーダー (60183810); KOMATSU Shojiro (2007-2009) National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, グループリーダー (70343845)
• Project Period (FY): 2007 – 2010
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2010)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2010: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2009: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2008: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2007: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
• Keywords: 電子放出 / レーザ / プラズマ / BN / 薄膜

Research Abstract

The characteristics of electron field emission in sp^<3->bonded 5H-BN films prepared by laser-assisted plasma CVD wer studied. Their merits originated from mainly three factors. The first is the surface effect due to the electric dipole moment formed by the chemisorbed hydrogena and nitrogen atoms, which favors the electron field emission. The second is the effective work function inherent in the new crystal structure of the sp^<3->bonded BN polytypic forms. The third is the surface morphology made of micro-cones that favored the emission due to the geometrical enhancement of the local electric field. The combinatorial effect of these factors enabled the electron field emission evem in the air. The new structures of sp^<3->bonded BN were successfully prepared by this method and the new analytic method using a diagram for understanding the strcutural stability of polytypes was established and utilized for the fabrication of these BN films.

Research Products

• [Journal Article] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN (2010)
  • Author(s): Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
  • Journal Title: J.Phys.Chem.C 114 Pages: 13176-13186
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN (2010)
  • Author(s): Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
  • Journal Title: J.Phys.Chem.C Volume: 114 Pages: 13176-13186
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes (2010)
  • Author(s): Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • Journal Title: Materials Transactions Volume: 51(9) Pages: 1497-1503
  • NAID: 10026599660
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions (2010)
  • Author(s): Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • Journal Title: Journal of Physics : Conference Series Volume: 215
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • Author(s): Komatsu S.; Sato Y.; Hirano D.; Nakamura T.; Koga K.; Yamamoto A.; Nagata T; Chikyo T.; Watanabe T.; Takizawa T.; Nakamura K.; Hashimoto T.; Shiratani M.
  • Journal Title: J.Phys.D : Appl.Phys. 42 Pages: 225107-225112
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2009)
  • Author(s): Komatsu, S., Sato, Y., Hirano, D., Nakamura, T., Koga, K., Yamamoto, A., Nagata, T, Chikyo, T., Watanabe, T., Takizawa, T., Nakamura, K., Hashimoto, T., Shiratani, M. J.
  • Journal Title: Phys.D : Appl.Phys. 42 Pages: 225107-12
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • Author(s): Komatsu, S.; Sato, Y.; Hirano, D.; Nakamura, T.; Koga, K.; Yamamoto, A.; Nagata, T ; Chikyo, T.; Watanabe, T.; Takizawa, T.; Nakamura, K.; Hashimoto, T.; Shiratani, M.
  • Journal Title: J.Phys.D : Appl.Phys. 42 Pages: 225107-225112
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] First-Principles Study of 10H-BN and 10H-AlN (2009)
  • Author(s): K.KOBAYASHI, S.KOMATSU
  • Journal Title: Journal of the Physical Society of Japan Vol.78
  • NAID: 10025959598
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] BN, SiC, AlN polytypes の第一原理計算/ First-Principles Study of BN, SiC, and AlN Polytypes (2008)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Journal Title: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN Vol.77/Number 8
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Electron field emission in air at an atmospheric pressurefrom sp3-bonded 5H-BN microcones (2007)
  • Author(s): S.Komatsu, E.Ohta, H.Tanaka, Y.Moriyoshi, K.Nakajima, T.Chikyo, M.Shiratani
  • Journal Title: J.Appl.Phys. 101 Pages: 84904-84904
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] New type of BN nanoparticles and films prepared by synergetic deposition processes using laser and plasma : the nanostructures, properties, and growth mechanisms (2007)
  • Author(s): S.Komatsu
  • Journal Title: J.Phys.D : Appl.Phys. 40 Pages: 2320-2320
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2007)
  • Author(s): Komatsu S, Ohta E, Tanaka H, Moriyoshi Y, Nakajima K, Chikyo T, Shiratani M
  • Journal Title: J.Appl.Phys. 101 Pages: 84904-8
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Electron field elnission in au at an atmospheric pressure from sp3-b6nded 5H-BN microcones (2007)
  • Author(s): S. Komatsu, E. Ohta, H. Tanaka, Y. Moriyoshi, K. Nakajima, T. Chikyo, M. Shiratani
  • Journal Title: J.Appl.Phys 101
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] New type of BN nanoparticles and films prepared by synergetic deposition processes using laser and plasma:the nanostructures, properties,and growth mechanisms (2007)
  • Author(s): S. Komatsu
  • Journal Title: J.Phys.D:Appl.Phys 40 Pages: 2320-2340
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] First-Principles Study of 5H-BN (2007)
  • Author(s): K. Kobayashi, S. Komatsu
  • Journal Title: Journal of the Physical Society of Japan 76
  • NAID: 110006530727
  • Peer Reviewed
• [Presentation] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • Organizer: The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces(招待講演)
  • Place of Presentation: Slovenia, Krvavcem, Hotel Raj
• [Presentation] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BN の新結晶相:基礎と電子デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • Organizer: ICACNM-2011(招待講演)
  • Place of Presentation: India, Chandigarh, Panjab University
• [Presentation] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • Organizer: ICNC 2011(招待講演)
  • Place of Presentation: India, Kottayam, Mahatma Gandhi University
• [Presentation] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • Organizer: The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
  • Place of Presentation: Krvavcem, Hotel Raj (スロベニア)(招待講演)
• [Presentation] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相:基礎と電子デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • Organizer: ICACNM-2011
  • Place of Presentation: Chandigarh, Panjab University (インド)(招待講演)
• [Presentation] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • Organizer: ICNC 2011
  • Place of Presentation: Kottayam, Mahatma Gandhi University (インド)(招待講演)
• [Presentation] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes (2010)
  • Author(s): 小林一昭、小松正二郎
  • Organizer: 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場(エポカルつくば)(茨城県)
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会(招待講演)
  • Place of Presentation: 九州大学 伊都キャンパス
  • Year and Date: 2010-06-12
• [Presentation] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用 Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
  • Place of Presentation: 九州大学伊都キャンパス(福岡県)(招待講演)
  • Year and Date: 2010-06-12
• [Presentation] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes (2010)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 日本金属学会2010年春期大会
  • Place of Presentation: 筑波大学,茨城県つくば市
  • Year and Date: 2010-03-28
• [Presentation] BN/Siヘテロ接合太陽電池/BN/Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 第3回電気電子工学セミナー(招待)
  • Place of Presentation: 九州大学,福岡市
  • Year and Date: 2010-03-23
• [Presentation] 高密度BN薄膜のプラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prepared by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 仙台"プラズマフォーラム"プラズマナノバイオニクスの基礎研究(招待)
  • Place of Presentation: 東北大学大学院工学研究科,仙台市
  • Year and Date: 2010-03-13
• [Presentation] 高密度BN薄膜のプラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prepared by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 仙台"プラズマフォーラム" プラズマナノバイオニクスの基礎研究(招待)
  • Place of Presentation: 東北大学大学院工学研究科,仙台市
  • Year and Date: 2010-03-13
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 第27回プラズマプロセシング研究会
  • Place of Presentation: 横浜市開港記念会館,横浜市
  • Year and Date: 2010-02-03
• [Presentation] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications (2010)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • Organizer: TENCON2010
  • Place of Presentation: 福岡国際会議場
• [Presentation] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition (2010)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • Organizer: ICRP7
  • Place of Presentation: Paris, Maison de la Chimie
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing (2010)
  • Author(s): 小松正二郎,小林一昭
  • Organizer: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学文教キャンパス
• [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • Author(s): 小松正二郎,知京豊裕,小林一昭
  • Organizer: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • Place of Presentation: 京都大学
• [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • Author(s): 小松正二郎,知京豊裕,小林一昭
  • Organizer: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • Place of Presentation: 熱海 南明ホテル
• [Presentation] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications (2010)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • Organizer: TENCON2010
  • Place of Presentation: 福岡国際会議場(福岡県)
• [Presentation] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition (2010)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • Organizer: ICRP7
  • Place of Presentation: Maison de la Chimie(フランス)
• [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • Author(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • Organizer: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • Place of Presentation: 京都大学(京都府)
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing (2010)
  • Author(s): 小松正二郎, 小林一昭
  • Organizer: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学文教キャンパス(長崎県)
• [Presentation] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • Author(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • Organizer: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • Place of Presentation: 南明ホテル(静岡県)
• [Presentation] 12H-AlNの第一原理計算と並列化(OpenMP)/First-principles study of 12H-AlN and parallelization (OpenMP) (2009)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 物性研究所 短期研究会 計算物理学
  • Place of Presentation: 東京大学物性研究所,千葉県柏市
  • Year and Date: 2009-12-10
• [Presentation] レーザー支援プラズマCVD法による導電性sp3結合性BN薄膜の作製と特性評価/Characteristics of conductive sp3-bonded BN film by the laser-assisted plasma CVD (2009)
  • Author(s): 中村拓也,小松正二郎,他
  • Organizer: 日本電子材料技術協会 第46回秋期講演大会
  • Place of Presentation: 日本セラミック協会ビル,東京都新宿区
  • Year and Date: 2009-11-20
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: AEPSE 2009(招待)
  • Place of Presentation: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • Year and Date: 2009-09-22
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池 (2009)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: AEPSE 2009
  • Place of Presentation: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • Year and Date: 2009-09-22
• [Presentation] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: AEPSE 2009(招待)
  • Place of Presentation: BEXCO Convention Center,釡山,韓国
  • Year and Date: 2009-09-22
• [Presentation] 導電性sp3結合性BN薄膜のレーザ支援プラズマCVD法による低温合成/Low-temperature synthesis of conductive sp3-bonded nH-BN films (n=5,6,…) by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • Author(s): 中村拓也,小松正二郎,他
  • Organizer: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学,富山市
  • Year and Date: 2009-09-11
• [Presentation] 導電性sp3結合性BN薄膜のレーザー支援プラズマCVD法による低温合成/Low-temperature synthesis of conductive sp3-bonded nH-BN films (n=5,6,…) by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • Author(s): 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • Organizer: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学,富山市
  • Year and Date: 2009-09-11
• [Presentation] sp3-結合性p型BN/n型Siヘテロ接合の作製と光起電力特性評価,Photovoltaic effects in sp3-bonded p-type BN/n-type Si heterojunction prepared by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • Author(s): 中村拓也,小松正二郎, 他
  • Organizer: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 筑波大学
  • Year and Date: 2009-03-31
• [Presentation] sp3-結合性p型BN/n型Siヘテロ接合の作製と光起電力特性評価 Photovoltaic effects in sp3-bonded p-type BN / n-type Si heterojunction prepared by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • Author(s): 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 筑波大学つくば市
  • Year and Date: 2009-03-31
• [Presentation] BN/Siヘテロ太陽電池作製用レーザ支援プラズマCVD Laser-assisted plasma CVD for the fabrication of BN/Si hetero junction solar cell (2009)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: 太陽電池製造用新規プラズマ源に関する研究会(プラズマ核融合学会)
  • Place of Presentation: 九州大学
  • Year and Date: 2009-03-26
• [Presentation] BN/Siヘテロ太陽電池作製用レーザ支援プラズマCVD Laser-assisted plasma CVD for the fabrication of BN/Si hetero junction solar cell (2009)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: 太陽電池製造用新規プラズマ源に関する研究会(プラズマ核融合学会)
  • Place of Presentation: 九州大学福岡市
  • Year and Date: 2009-03-26
• [Presentation] 10H-SiC, 12H-BNの第一原理計算 First-principles study of 10H-SiC and 12H-BN (2009)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 筑波大学つくば市
• [Presentation] 10Hポリタイプ構造における、BN, AlN, SiCの第一原理計算 First-Principles Stud of 10H polytypes for BN, AlN, and SiC (2009)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 日本物理学会第64回年次大会(日本物理学会)
  • Place of Presentation: 立教大学東京都
• [Presentation] 多様な窒化硼素ポリタイプの第一原理計算 First-Principles Study of various BN polytypes (2009)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: Supercomputing in Solid State Physics 2009(東京大学物性研究所)
  • Place of Presentation: 東京大学物性研究所柏市
• [Presentation] BN/Siヘテロダイオード太陽電池BN/Si heterodiode solar cell (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 高分子同友会勉強会(社団法人 高分子同友会)
  • Place of Presentation: (社)高分子同友会事務局
  • Year and Date: 2008-11-18
• [Presentation] BN/Siヘテロダイオード太陽電池BN/Si heterodiode solar cell (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 高分子同友会勉強会(社団法人 高分子同友会)
  • Place of Presentation: (社)高分子同友会事務局、東京都
  • Year and Date: 2008-11-18
• [Presentation] 新機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: ISBB2008
  • Place of Presentation: くにびきメッセ, 松江市
  • Year and Date: 2008-09-08
• [Presentation] 高密度BNナノ構造の光支援相変化Photo-assisted phase transformation method for the fabrication of dense-phase BN nanostructures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: IUMRSアジア国際会議2008(日本MRS)
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場
• [Presentation] 新規機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition of New Functional BN Films (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: ISBB2008(ISBB2008組織委員会)
  • Place of Presentation: くにびきメッセ
• [Presentation] レーザ支援プラズマCVD法によるsp3結合性新規nH-BN薄膜(n=5,6,10,12)の生成と構造Laser-assisted plasma CVD of sp3-bonded nH-BN (n=5,6,10,12) ; their growth mechanism and structures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] sp3-結合性BN/Siヘテロ接合における光起電力効果Photovoltaic effects in sp3-bonded BN/Si hetero junction prepared by laser-assisted plasma CVD (2008)
  • Author(s): 佐藤裕平, 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] レーザー支援プラズマCVD法によるp型BN/n型Siヘテロ接合の形成Preparation of p-type BN/n-type Si hetero junction by laser assisted plasma CVD method (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] 稠密ナノ構造BNを形成する光励起相変態Photo-Assisted Phase Transformation Method for the Fabrication of Dense-Phase BN Nanostructures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: ICCE-16(ICCE-16組織委員会)
  • Place of Presentation: 中国(昆明市)
• [Presentation] 新しい機能性BN薄膜のレーザープラズマ同期CVDについてLaser-plasma synchronous CVD of new functional BN films (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS実行委員会)
  • Place of Presentation: アイルランド(ダブリン市)Trinity College
• [Presentation] 高密度BNナノ構造の光支援相変化 Photo-assisted phase transformation method for the fabrication of dense-phase BN nanostructures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: IUMRSアジア国際会議2008(日本MRS)
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場名古屋市
• [Presentation] BN, AlN10Hポリタイプ構造の第一原理計算 First-Principles Study of 10H polytype structures for BN and AlN (2008)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: Computational Science Workshop 2008(CSW2008)(産業技術総合研究所 計算科学研究部門)
  • Place of Presentation: エポカルつくばつくば市
• [Presentation] BN, AlNポリタイプ(多形、2H〜6H, 10H)の第一原理計算 First-Principles Study of BN and AlN Polytypes (2H - 6H, and 10H) (2008)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 第17回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究(社団法人 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会)
  • Place of Presentation: 大田区産業プラザ東京都
• [Presentation] BN, SiC, AlNポリタイプ(多形)の第一原理計算 First-Principles Calculations of BN, SiC and AlN Polytypes (2008)
  • Author(s): 小林一昭, 小松正二郎
  • Organizer: 第22回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)
  • Place of Presentation: 早稲田大学理工学部東京都
• [Presentation] 新規機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition of New Functional BN Films (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: ISBB2008(ISBB2008組織委員会)
  • Place of Presentation: くにびきメッセ松江市
• [Presentation] レーザ支援プラズマCVD法によるsp3結合性新規nH-BN薄膜(n=5,6,10,12)の生成と構造 Laser-assisted plasma CVD of sp3-bonded nH-BN (n=5,6,10,12) ; their growth mechanism and structures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学春日井市
• [Presentation] sp3-結合性BN/Siヘテロ接合における光起電力効果 Photovoltaic effects in sp3-bonded BN / Si hetero junction prepared by laser-assisted plasma CVD (2008)
  • Author(s): 佐藤裕平, 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学春日井市
• [Presentation] レーザー支援プラズマCVD法によるp型BN/n型Siヘテロ接合の形成 Preparation of p-type BN / n-type Si hetero junction by laser assisted plasma CVD method (2008)
  • Author(s): 平野大輔, 小松正二郎, 他
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • Place of Presentation: 中部大学春日井市
• [Presentation] 稠密ナノ構造BNを形成する光励起相変態 Photo-Assisted Phase Transformation Method for the Fabrication of Dense-Phase BN Nanostructures (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: ICCE-16(ICCE-16組織委員会)
  • Place of Presentation: 雲南デイエンチーガーデンリゾートホテル 中国(昆明市)
• [Presentation] 新しい機能性BN薄膜のレーザープラズマ同期CVDについて Laser-plasma synchronous CVD of new functional BN films (2008)
  • Author(s): 小松正二郎
  • Organizer: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS実行委員会)
  • Place of Presentation: アイルランド(ダブリン市) Trinity College
• [Presentation] パルスレーザー・変調プラズマ同期化学気相成長法による?新しい結晶構造の窒化ホウ素の成長:ナゾの本質は何か? (2008)
  • Author(s): 小松 正二郎
  • Organizer: 第10回プラズマと物質科学の研究討論会
  • Place of Presentation: 核融合研究所,土岐市,日本
• [Presentation] ポストーデポジョン・レーザーアブレーションによるミクロコーンエミッターの成長 (2008)
  • Author(s): 平野 大輔, 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 滝沢 武男
  • Organizer: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • Place of Presentation: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [Presentation] レーザー支援プラズマCVD法におけるプラズマパルス化の影響 (2008)
  • Author(s): 佐藤 裕平, 小松 正二郎, 平野 大輔, 渡辺 隆行
  • Organizer: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • Place of Presentation: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [Presentation] レーザー支援とプラズマCVD法におけるsp3結合性5H-BNミクロコーンの形成機構 (2008)
  • Author(s): 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 平野 大輔, 渡辺 隆行, 滝沢 武男
  • Organizer: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • Place of Presentation: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [Presentation] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • Author(s): 小松正二郎, 他
  • Organizer: ICONO/LAT2007
  • Place of Presentation: National Cultural Center, Minsk, Belarus
  • Year and Date: 2007-05-28
• [Presentation] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • Author(s): 小松 正二郎, 田中 洋則, 佐藤 裕平, 守吉 佑介, 太田 英一
  • Organizer: ICNO/LAT2007
  • Place of Presentation: National Cultural Center,Minsk,Belarus
• [Presentation] レーザプラズマ・同期CVDによる機能性BN薄膜 (2007)
  • Author(s): 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 守吉 佑介, 知京 豊裕, 渡辺 隆行
  • Organizer: 第20回プラズマ材料科学シンポジウム
  • Place of Presentation: 名古屋大学,名古屋市千種区,日本
• [Presentation] 機能性BN薄膜のレーザプラズマシンクロCVD:形態依存性機能と成長機構 (2007)
  • Author(s): 小松 正二郎
  • Organizer: ICCE-15組織委員会
  • Place of Presentation: SOfitel Fisi WestCoast Haainan,HOTEL,Haikou,China
• [Presentation] 新規機能性BN薄膜のレーザ・プラズマ同期CVD (2007)
  • Author(s): 小松 正二郎
  • Organizer: 17th th IKETANI CONFERENCE
  • Place of Presentation: 東京大学弥生講堂・一条ホール,東京,日本
• [Presentation] レーザーとプラズマを用いたシナジーCVDによるsp3-結合性5H-BN薄膜の大気中1気圧における電界電子 (2007)
  • Author(s): 小松 正二郎, 太田 英一, 佐藤 裕平, 渡辺 隆行, 中島 清美, 知京 豊裕
  • Organizer: AEPSE-2007
  • Place of Presentation: やすらぎ伊王島,長崎市,日本
• [Patent(Industrial Property Rights)] 窒化ホウ素膜表面に先端の尖った結晶が自己相似性フラクタル模様を呈して電子放出に適った密度で二次元分布してなる窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法 (2010)
  • Inventor(s): 小松正二郎/岡田勝行/守吉佑介
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2004-371693
  • Acquisition Date: 2010-12-24
• [Patent(Industrial Property Rights)] 大気中電子放出特性を有する電子放出素子とその製造方法、および、この素子を使用した電子放出方法 (2010)
  • Inventor(s): 小松正二郎,/岡田勝行/守吉佑介
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Acquisition Date: 2010-10-22
• [Patent(Industrial Property Rights)] 電界電子放出素子とその製造方法及びこの素子を使用した電子放出方法、並びに、電界電子放出素子を使用した発光・表示デバイスとその製造方法 (2010)
  • Inventor(s): 小松正二郎/知京豊裕/岡田勝行/守吉佑介
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Acquisition Date: 2010-07-20
• [Patent(Industrial Property Rights)] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081434
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平/平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081441
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平/平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081863
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔, 長田貴弘
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081434
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081441
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-081863
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 (2008)
  • Inventor(s): 小松正二郎, 岡田勝行, 守吉佑介
  • Industrial Property Rights Holder: (独) 物質・材料研究機構
  • Acquisition Date: 2008-09-09
• [Patent(Industrial Property Rights)] sp3-結合性B塙密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大介/長田 貴弘
  • Industrial Property Rights Holder: 岸 輝雄
  • Industrial Property Number: 2008-081434
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] コーン・エミヅタの形成方法 (2008)
  • Inventor(s): 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大介
  • Industrial Property Rights Holder: 岩 輝雄
  • Industrial Property Number: 2008-081441
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体材料とその製造力法 (2008)
  • Inventor(s): 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大輔
  • Industrial Property Rights Holder: 岸 輝雄
  • Industrial Property Number: 2008-081863
  • Filing Date: 2008-03-26