| Project/Area Number |
19360025
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
|
|---|
| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
|---|
Principal Investigator |
YASUDA Tetsuji National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 (90220152)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FUJIWARA Hiroyuki 国立大学法人岐阜大学, 工学部, 教授 (40344444)
TANAKA Masatoshi 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (90130400)
OHNO Shinya 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000)
Fiscal Year 2007: ¥13,130,000 (Direct Cost: ¥10,100,000、Indirect Cost: ¥3,030,000)
|
|---|
| Keywords | 表面 / 界面物性 / 電子 / 電気材料 / 光物性 / 半導体超微細化 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 |
|---|
| Research Abstract |
表面・界面に敏感な光学測定として知られる反射率差分光(RDS)の測定エネルギー域を、従来の可視・紫外域(1~5 eV)から、真空紫外領域(~8.5 eV)へ拡張した装置を開発した。この装置を用いて、電界効果トランジスタの新チャネル材料上のゲート絶縁膜界面の構造を評価した。その結果、Siナノワイヤチャネル側面のモデルである高指数面上の熱酸化膜において、熱負荷とともに界面構造が変化する現象を見出した。また、高移動度チャネルとして有望なGeやIII-V族半導体への絶縁膜形成において、界面光学応答が変化する様子を観測した。
|
