Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
次世代半導体として期待されるシリコンカーバイド(SiC)スイッチング素子を用いた高性能インバータの普及を目指して、究極の高効率化と小型化の両立が期待できる薄平面形状のインバータの基盤技術研究を行った。成果は、(1) 厳密な損失計算による高密度設計に必要な損失計算手法の開発(2) 高電力密度化の障害となる受動デバイス(けインダクタ)の損失計算・計測法の開発(3) 最適設計手順の開発(4) 最適な変調法の探索(5) 高電力密度時に深刻化するノイズ障害防止策(6) 薄平面形インバータの試作・評価である。
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Journal of Power Electronics vol.9, no.2
Pages: 259-266
Journal of Power Electronics vol. 9, 2
IEEE Trans. on Industrial Electronics (Accepted)
IEEE Trans. on Power Electronics (掲載決定)