| Project/Area Number |
19360143
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
|
|---|
| Research Institution | Nagoya University |
|---|
Principal Investigator |
TSUNASHIMA Shigeru Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (80023323)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
IWATA Satoshi 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60151742)
KATO Takeshi 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (50303665)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥18,200,000 (Direct Cost: ¥14,000,000、Indirect Cost: ¥4,200,000)
Fiscal Year 2008: ¥8,060,000 (Direct Cost: ¥6,200,000、Indirect Cost: ¥1,860,000)
Fiscal Year 2007: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000)
|
|---|
| Keywords | メモリ / 熱磁気記録 / アモルファス合金 / スピン注入 / ジュール熱 / 臨界電流密度 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は固体メモリの高速性, 磁気記録の不揮発性, さらには低電力での書き換え特性を兼備した固体メモリデバイスの開発を目的とし, 微細加工した希土類遷移金属(RE-TM)垂直磁化膜への熱磁気記録, RE-TM膜へのスピン注入磁気記録を試みた. RE-TM膜を用いることで十分実現可能なパワー密度で高速の熱アシスト磁化反転が可能であることが分かった.さらに.RE-TM垂直磁化膜へのスピン注入による磁化反転を確認することに成功し, 低電力での磁化反転の可能性を示すことができた.
|
