| Project/Area Number |
19360145
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
SATOH Ryohei Osaka University, 先端科学イノベーションセンター, 教授 (80343242)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FUKUDA Takeshi 大阪大学, 工学研究科, 教授 (50354585)
KIMURA Yoshihide 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (70221215)
IWATA Yoshiharu 大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 准教授 (30263205)
MORINAGA Eiji 大阪大学, 工学研究科, 助教 (80432508)
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| Research Collaborator |
尾野 直紀
高木 透
山川 洋幸
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2007: ¥16,900,000 (Direct Cost: ¥13,000,000、Indirect Cost: ¥3,900,000)
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| Keywords | 透明導電膜 / フラットパネルディスプレイ / ナノシード層 / SnO_2, YAGレーザ加工 / 次世代ディスプレイ / エピタキシャル / レーザ加工 / Sn02 / YAGレーザ加工 |
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| Research Abstract |
次世代ディスプレイ用SnO_2系超低抵抗導電膜作成技術の構築を目指し、SnO2-Ta-Nb系高密度(95%以上)焼結ターゲットを実現し、(110)面、(200)面が基板面に垂直な方向での配向によりSnの5S軌道の重なりを確保しやすくし移動度の向上を達成し、高温アニール(873K)膜として最も低い6.5×10-^5Ω・mを達成した。また、Ta,Nbドープにより、3J/cm^2での低エネルギー加工ができることを世界で初めて明らかにした。
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