| Project/Area Number |
19360149
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
MIYATA Noriyuki National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40358130)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NOHIRA Hiroshi 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
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| Research Collaborator |
ABE Yasuhiro 武蔵工業大学, 大学院工学研究科, 博士課程学生
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥15,600,000 (Direct Cost: ¥12,000,000、Indirect Cost: ¥3,600,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2007: ¥9,620,000 (Direct Cost: ¥7,400,000、Indirect Cost: ¥2,220,000)
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| Keywords | 高誘電率絶縁膜 / 絶縁膜 / 半導体界面 / 半導体工学 / 電界効果型トランジスタ / 絶縁体・半導体界 / 界面物性 / 絶縁体・半導体界面 |
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| Research Abstract |
本研究では、直接接合ハフニウム酸化膜/シリコン界面に誘起される異常なダイポール層の起源を明らかにすることを目的として、種々の分析方法を用いて界面電子状態および化学結合状態を評価した。界面ダイポールの発生状況は、界面準位密度等の電子状態との相関を示さず、界面Si-O結合に依存することが明らかとなった。よって、界面Si-O 結合がダイポール発生の主な原因であると考えられる。また、直接接合ハフニウム酸化膜/ゲルマニウム界面の作製に成功し、シリコン基板上と同様な界面ダイポールの存在を初めて確認した。
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