Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics
| Project/Area Number |
19360164
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
NAKAJIMA Anri Hiroshima University, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
YOKOYAMA Shin 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (80144880)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2007: ¥14,560,000 (Direct Cost: ¥11,200,000、Indirect Cost: ¥3,360,000)
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| Keywords | Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性 |
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| Research Abstract |
tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。
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Report
(3 results)
Research Products
(1 results)
