Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics

• Project/Area Number: 19360164
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: NAKAJIMA Anri Hiroshima University, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): YOKOYAMA Shin 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (80144880)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2008: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000); Fiscal Year 2007: ¥14,560,000 (Direct Cost: ¥11,200,000、Indirect Cost: ¥3,360,000)
• Keywords: Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性

Research Abstract

tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。

Research Products

• [Journal Article] Atomic Layer Deposition of HfO_2 and Si Nitride on Ge Substrates (2007)
  • Author(s): Shiyang Zhu, Anri Nakaiima
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46, No. 12 Pages: 7699-7701