Effects of strain and temperature on dielectric properties of "size effect free" dielectrics
| Project/Area Number |
19360294
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
FUNAKUBO Hiroshi Tokyo Institute of Technology, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (90219080)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
UCHIDA Hiroshi 上智大学, 理工学部, 助教 (60327880)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥21,060,000 (Direct Cost: ¥16,200,000、Indirect Cost: ¥4,860,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2007: ¥16,640,000 (Direct Cost: ¥12,800,000、Indirect Cost: ¥3,840,000)
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| Keywords | サイズ効果 / 誘電体薄膜 / 残留歪み / 温度依存性 |
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| Research Abstract |
サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。
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Report
(3 results)
Research Products
(26 results)
