Development of oxide solid electrolyte working at lower temperature by stress controlled film deposition method
| Project/Area Number |
19360295
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
SHINOZAKI Kazuo Tokyo Institute of Technology, 大学院・理工学研究科, 教授 (00196388)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TANAKA Junzo 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (10343831)
脇谷 尚樹 静岡大学, 工学部, 教授 (40251623)
鈴木 久男 静岡大学, 創造科学技術大学院, 教授 (70154573)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
WAKIYA Naoki 静岡大学, 工学部, 教授 (40251623)
SUZUKI Hisao 静岡大学, 創造科学技術大学院, 教授 (70154573)
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| Research Collaborator |
KIGUCHI Takanori 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70311660)
HARA Toru 東京工業大学, 大学院・理工学研究科・社会人博士課程
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥20,410,000 (Direct Cost: ¥15,700,000、Indirect Cost: ¥4,710,000)
Fiscal Year 2009: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Fiscal Year 2008: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2007: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000)
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| Keywords | 機能性セラミックス / 低温動作酸化物イオン伝導体 / 酸化物イオン導電体 / エピタキシャル薄膜 / 酸素センサー / Si基板 / 酸素濃淡電池 / PLD装置 / 反応性イオンエッチング |
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| Research Abstract |
YSZあるいはGd_2O_3添加CeO_2系酸化物イオン導電体をSi基板上にエピタキシャル薄膜化することで、従来の焼結体の固体電解質に比べて、低温の280～350℃程度で動作することを見いだした。この現象は、固体電解質を数十nm～数μmと非常に薄くすることによる内部抵抗の減少と、製膜時に発生する圧縮応力と基板と電解質の間に働く熱膨張差による引っ張り応力による複雑な応力状態により説明できることを明らかにした。
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Report
(4 results)
Research Products
(27 results)
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[Journal Article] Fabrication and Optical Properties of Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3-PbTiO_3 Thin Films on Si Substrates using PLD Method2008
Author(s)
K. Shinozaki, S. Hayashi, N. Wakiya, T. Kiguchi, J. Tanaka, N. Ishizawa, K. Sato, M. Kondo, K. Kurihara
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Journal Title
IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 55
Pages: 1023-1028
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