| Project/Area Number |
19540527
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Plasma science
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| Research Institution | Ritsumeikan University (2008)
Takamatsu National College of Technology (2007) |
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Principal Investigator |
HARAFUJI Kenji Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (60442472)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KAWAMURA Katsuyuki 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (00126038)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
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| Keywords | プラズマ加工 / 計算物理 / 結晶工学 / 窒化ガリウム / 分子動力学 / ドライエッチング / 結晶欠陥 / イオンアシストエッチング |
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| Research Abstract |
物理スパッタリング率のイオンエネルギー及びイオン入射角度依存性、さらにエッチング後の結晶欠陥の基礎データを収集した。N原子に対するスパッタリング率はGa原子に対するそれよりも大きい。エッチングによるダメージに関して、結晶内にはGaとNがペアになったショットキー欠陥が生じやすい。Gaは格子間原子と成り得るが、Nは格子間原子としては結晶内に存在し得ず、表面上に押し出されて再結晶化するか、スパッタされる。反応性塩素ガスを結晶表面に被覆した場合のイオンアシストエッチングの素過程を調べた。物理スパッタリングの場合と比べて、Gaに対するエッチング率が飛躍的に増加すること、また、Arイオンが入射してから、Gaが表面から離脱するまでの時間が10倍程度遅くなることを確認した。
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