| Project/Area Number |
19560009
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Akita University |
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Principal Investigator |
YAMAGUCHI Rumiko Akita University, 工学資源学部, 准教授 (30170799)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2007: ¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000)
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| Keywords | 液晶 / 配向 / 耐光性 / レーザー / ファーフィールドパターン / 配向膜 / 高分子 / アンカリング / 光劣化 / 光化学反応 / レーザダイオード / ブルーレイ |
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| Research Abstract |
ホモジニアス, ホメオトロピック, ハイブリッド, ツイステッドネマティック(TN)の計4種類を作製し403nmの半導体レーザ(約10mW)を集光し, 液晶分子配向状態の異なる液晶素子にそれぞれ照射し, 配向状態の変化から, 数十分以内での耐光性評価を可能とした。光劣化とともに, 透過レーザ光のファーフィールドパターンが変化することを利用し, 配向変化の開始時間, 劣化の進行状態を評価することができた。
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