| Project/Area Number |
19560012
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Nagaoka University of Technology |
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Principal Investigator |
内富 直隆 Nagaoka University of Technology, 工学部, 准教授 (20313562)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
加藤 有行 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (10303190)
神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (10134975)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
KATO Ariyuki 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (10303190)
JINBO Yoshio 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (10134975)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
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| Keywords | 結晶工学 / 結晶成長 / 表面・界面物性 / 半導体 / 界面・界面物性 |
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| Research Abstract |
電子の電荷とスピンを利用する半導体スピントロニクスの実現には、半導体プロセスと整合し室温で強磁性を発現する半導体が求められる。本研究では、インジウムリン基板と格子整合するカルコパイライト半導体ZnSnAs_2薄膜のエピタキシャル成長技術の確立とその薄膜の物性評価を行った。引き続き、Mn ドープしたZnSnAs_2薄膜の結晶成長を行い室温で強磁性を示すことが確認された。このことから、Mn ドープZnSnAs_2薄膜はインジウムリン基板と格子整合する室温強磁性半導体として、新しいデバイス応用の可能性を示している
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