| Project/Area Number |
19560013
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Kansai University |
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Principal Investigator |
ITOH Hiroyoshi Kansai University, システム理工学部, 准教授 (00293671)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
INOUE Jun-ichiro 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (60115532)
HONDA Syuta 名古屋大学, 大学院工学研究科, PD
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
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| Keywords | 新機能材料 / スピンエレクトロニクス / 計算物理 / 磁性 / メゾスコピック系 |
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| Research Abstract |
室温で高スピン偏極電流を生成可能なデバイスの材料として, 強磁性絶縁体とハーフメタルを理論的に検討した。ダブル・ペロブスカイトLa_2NiMnO_6, スピネル・フェライトFe_2O_3, ホイスラー合金Co_2MnSiと(Fe-Mn)_3Si, バリスティック擬ハーフメタルCoFeB/MgOの電子状態をバンド計算し, スピン依存伝導特性を調べた。その結果から, これらの材料を用いることで高いスピン偏極率を持つ電流を生成可能であることが明らかとなった。
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