Atomic-scale dielectric properties at the interface between Si and La-based oxides
Project/Area Number |
19560020
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | The University of Electro-Communications |
Principal Investigator |
NAKAMURA Jun The University of Electro-Communications, 電気通信学部, 准教授 (50277836)
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Project Period (FY) |
2007 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2009: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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Keywords | ナノ材料 / 電子デバイス / 表面界面物性 |
Research Abstract |
密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。
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Report
(4 results)
Research Products
(33 results)