First-principles simulation of V-group nanofilms
| Project/Area Number |
19560021
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
SAITO Mineo Kanazawa University, 数物科学系, 教授 (60377398)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
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| Keywords | ナノ材料 / 計算物理 |
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| Research Abstract |
本研究では、ナノ薄膜化することで、バルクとは異なり有用な物性を発現すると考えられるV属系材料の第1原理シミュレーションを行った。Si(111)表面上でBiは極めて平坦な膜を生じるが、その初期過程では、バルク構造とは、異なる黒リン型構造を示す。この構造には、表面にバックリングがあるものと無いものの二つがあり双安定な関係のあることを結論し、今後の実験研究に示唆を与えた。また、リン薄膜は、バルク同様の構造を取り、バックリングがなく、膜厚増大ととともに、バンドギャップが減少し、バルクの電子構造に近づく事が結論された。
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Report
(3 results)
Research Products
(78 results)
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[Presentation] はじめに2009
Author(s)
斎藤峯雄
Organizer
日本物理学会第64回年次大会
Place of Presentation
立教大学、東京
Year and Date
2009-03-28
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