| Project/Area Number |
19560022
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
SAKASHITA Mitsuo Nagoya University, 大学院・工学研究科, 助教 (30225792)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
酒井 朗 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
SAKAI Akira 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
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| Keywords | C-AFM / キャリアセパレーション / ゲート絶縁膜 / MOSFET / 半導体デバイス / 構造ゆらぎ / 電流検出型原子間力顕微鏡 / ナノ領域 / 劣化機構 / 次世代半導体デバイス |
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| Research Abstract |
集積回路の基本素子であるMOSFETのゲート絶縁膜の劣化機構を解明するために、C-AFMによるキャリアセパレーション測定を可能とする手法の提案を行い、その測定技術の確立を目的に本研究を行った。本手法で用いる観察試料の設計および作製を行い、その観察試料の評価結果から、良好な電流-電圧特性を得ることができた。しかしながら、C-AFM観察では変位検出のためのレーザー光の漏れが観察試料に照射され、光励起電流によって観察電流が測定できず、本手法の実現には光が全く照射されない環境でのC-AFM観察が重要であることが明らかとなった。
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