UHV in-situ and Cs-corrected HR(S)TEM Studies of structures and growth process of Ge nanodots formed on faintly oxidized Si surfaces
| Project/Area Number |
19560023
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
TANAKA Nobuo (2008) Nagoya University, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
趙 星彪 (2007) Nagoya University, エコトピア科学研究所, 研究員 (90318783)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 信夫 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
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| Keywords | 電子顕微鏡 / HR-profile TEM / HAADF-STEM / Geナノドット / 極薄Si酸化膜 / 臨界核サイズ / 構造安定モデル |
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| Research Abstract |
本研究では、実空間かつ原子レベルでその場観察できるUHV in-situ HR-profile TEM(UHV in-situ high-resolution transmission electron microscopy in the profile-imaging geometry)と、試料の原子コラムレベル毎の組成分析や原子コラム位置を直視観察できるHAADF-STEM(high angle annular dark field-scanning resolution transmission electron microscopy)を用いて、Si基板に形成した極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの形成過程と、GeナノドットとSi界面近傍における微細構造、および原子拡散現象などを詳細に評価した。その結果、本系におけるGeナノドット成長様式およびGeナノドット直下にGe-rich layerの存在する新しい構造モデルを提案することができた
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Report
(3 results)
Research Products
(21 results)
