Characterization of high-k gate insulators / Ge channel interface using X-ray photoelectron spectroscopy
| Project/Area Number |
19560026
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
NOHIRA Hiroshi Musashi Institute of Technology, 工学部, 准教授 (30241110)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
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| Keywords | 表面・界面物性 / 角度分解X線光電子分光法 / 高誘電率絶縁膜 / 半導体界面深さ方向元素分布 / 積層構造 / 半導体界面 / 深さ方向元素分布 / 半導体物 |
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| Research Abstract |
GeおよびSi基板上に堆積した希土類絶縁膜の単層および積層構造を軟X線および硬X線を用いた角度分解X線光電子分光法を用いて評価し、Sc2O3をキャップ層として用いることにより、La2O3の水の吸湿をほとんど抑制できること、熱処理条件によりCe原子の価数が3価あるいは4価になること、500℃以上の熱処理で積層膜の界面での相互拡散が生じること、CeO2とGeとの界面においては、400℃処理よりも500℃で熱処理をした方が界面に存在するGeOxが減少することなどを明らかにした。さらに、角度分解光電子分光測定の結果に最大エントロピー法を適用する解析手法による深さ方向元素分析技術の確立と改良を実現した。
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Report
(3 results)
Research Products
(18 results)
