Control of Strain and Orientation of SiGe on Glass for High-Performance Transistor
| Project/Area Number |
19560316
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
SADOH Taizoh Kyushu University, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / シリコンゲルマニウム / 薄膜トランジスタ |
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| Research Abstract |
本研究では、ガラス上における薄膜トランジスタの高速・高信頼性化を目的とし、ガラス上におけるSiGe結晶の高品位形成を検討した。更に、ソース/ドレイン電極をシリサイドとしたトランジスタ構造の設計を行うと共に、熱処理プロセスの工夫を行い、従来法では10V程度であったトランジスタ閾値のばらつきを、低減(ばらつき1V程度)し、高い移動度と信頼性を有するトランジスタ動作を実現した。
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Report
(3 results)
Research Products
(53 results)
