| Project/Area Number |
19560318
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Saga University |
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Principal Investigator |
NISHIO Mitsuhiro Saga University, 理工学部, 教授 (60109220)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OGAWA Hiroshi 佐賀大学, 名誉教授 (10039290)
KAKU Kishin 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60243995)
TANAKA Tooru 佐賀大学, シンクロトロン応用研究センター, 助教 (20325591)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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| Keywords | ZnTe系材料 / LED / 高効率欠損領域 / 高効率欠損波長領域 |
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| Research Abstract |
ZnTeをベースとした材料系(Zn_(1-x)Mg_xTe)を用いて高効率欠損波長領域におけるLEDの性能向上を実現した。エピタキシャル成長用基板の品質向上やエピタキシャル成長膜の平坦化、高品質化が実現できた。特にド-ピング量、アニ-ル処理条件の最適化により、高キャリア密度や発光効率向上が達成できた。更に、A1濃度制御技術の開発や光取り出し構造の最適化などが果され、ダブルヘテロ構造を用いたLEDの作製により、基本特性が掌握できた。
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