Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductor
| Project/Area Number |
19560329
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
MIYASHITA Atsumi Japan Atomic Energy Agency, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (00354944)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2007: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
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| Keywords | 炭化ケイ素 / 第一原理計算 / 分子動力学 / 界面構造 / 欠陥準位 / 炭化珪素半導体 / 界面物理 / 欠陥構造 |
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| Research Abstract |
極限環境下で使用される素子として期待されている炭化ケイ素半導体デバイスは、素子特性向上のため界面欠陥構造を解析する事が急務となっている。酸化膜界面の原子・電子構造を解析するため、第一原理分子動力学計算コードを用いた加熱・急冷シミュレーションにて界面構造モデルを生成した所、実素子と同様な良好なアモルファス酸化膜界面構造を生成出来る温度プロファイルを決定する事に成功し、界面における微小原子接続構造を導出した。
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Report
(3 results)
Research Products
(39 results)
