AuSn bumping process using hydrogen plasma
| Project/Area Number |
19560337
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
HIGURASHI Eiji The University of Tokyo, 先端科学技術研究センター, 准教授 (60372405)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
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| Keywords | 水素プラズマ / バンプ / 金錫 / 高密度実装 / 光集積 / はんだバンプ |
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| Research Abstract |
本研究では、低コストな金錫(AuSn)微小はんだバンプ(50μm 以下)形成プロセスの確立を目指し、ガスアトマイズ法で作製された微細な金錫(AuSn)はんだ粒子(5μm以下)と水素ラジカルリフローを組み合わせた微小バンプ形成プロセスを提案、実証した。さらに、モールドに微細はんだ粒子を充填し、水素ラジカルリフローを行うことで、微小はんだボールを一括形成し、このボールをチップに表面活性化接合により転写することで微小バンプを一括形成することにも成功した。
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Report
(3 results)
Research Products
(10 results)
