Chemical short-range order in radiation-induced amorphous SiC
Project/Area Number |
19560664
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Physical properties of metals
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
ISHIMARU Manabu Osaka University, 産業科学研究所, 准教授 (00264086)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HIRATA Akihiko 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90350488)
NAITO Muneyuki 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (10397721)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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Keywords | 解析・評価 / アモルファス / 透過電子顕微鏡 / 炭化ケイ素 / 非晶質 / 動径分布解析 / 構造緩和 / スエリング |
Research Abstract |
照射誘起非晶質炭化ケイ素(SiC)の構造および構造緩和過程を先端的電子顕微鏡技術により調べた。非晶質SiCは第1隣接においてSi-C異種原子対に加え、結晶には存在しないC-C、Si-Si同種原子対を有することが明らかとなった。熱処理に伴い異種原子対は増加するのに対し同種原子対は減少し、構造緩和により化学的短範囲規則性が変化することが確認された。Si-Si原子対はC-C原子対よりも構造緩和により早く消失し、この同種原子対間の消滅速度の違いにより非晶質SiCの体積は大きく変化することが示唆された
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Report
(3 results)
Research Products
(30 results)