| Project/Area Number |
19560667
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Physical properties of metals
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| Research Institution | University of Hyogo |
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Principal Investigator |
MATSUO Naoto University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 教授 (10263790)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HEYA Akira 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80418871)
MIYAMOTO Shuji 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (90135757)
AMANO Shou 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助教 (50271200)
MOCHIZUKI Takayasu 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (80101278)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
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| Keywords | 半導体物性 / エキシマ・レーザ / 低温結晶化 / レーザ・プラズマ軟X線 / 二段階結晶化 / 擬似結晶核 / 薄膜トランジスタ / Si / Ge / poly-Si / a-Si / ダイナミクス / 柔軟型表示装置 |
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| Research Abstract |
レーザ・プラズマ軟X線(LPX)照射+エキシマ・レーザ(ELA)照射による二段階結晶化プロセスを検討し, LPX照射がELAの結晶化臨界エネルギー密度を小さくするという結果を得た. これは, LPX照射による擬似結晶核の形成を強く示唆するものであり, LPX照射により作製したSi薄膜を分光光度計, 電子スピン共鳴(ESR), 及び, エリプソメトリーによる測定を行い, 透過率変化, スピン密度, 及び, a-Si膜の相変化を明らかにした. その結果, a-Si薄膜表面層に低密度領域の微量結晶化膜が形成されており, 且つ, 不対結合電子対の密度が約1/2になる事が判明した. LPX照射により擬似結晶核が形成されている. LPX照射単独による低温結晶化技術の開発に向け大きく前進した
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