| Project/Area Number |
19560669
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Physical properties of metals
|
|---|
| Research Institution | Ishinomaki Senshu University |
|---|
Principal Investigator |
YOSHIHARA Akira Ishinomaki Senshu University, 理工学部, 教授 (40166989)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OHNUMA Shigehiro 財団法人電気磁気材料研究所, 主任研究員 (50142633)
|
|---|
| Research Collaborator |
OHNUMA Shigehiro 財団法人電気磁気材料研究所, 主任研究員 (50142633)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2007: ¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000)
|
|---|
| Keywords | ブリルアン散乱 / グラニュラー磁性膜 / スピン波 / 交換相互作用 / 電気抵抗 / マグノン抵抗 / 磁気励起 / 緩和 |
|---|
| Research Abstract |
本研究では金属/非金属グラニュラー強磁性膜TM-Al-O(TM=Fe, Co)中に熱励起されたスピン波を光散乱により観測した。振動数の磁場変化から交換磁場HEを決定し、室温における電気抵抗率ρと逆二乗則ρ∝HE-2が成立していることを見出した。また、これらの試料の電気抵抗率ρを300 K~4.2 Kまで測定し、ρが140 K以下の広い温度範囲ではT2項が、さらに低温では-logT項が支配的になることを見出した。TM-Al-O強磁性膜の電気抵抗における-logT項の存在は以前に報告されていたが、100 Kを超す広い温度範囲でのT2項の確認は世界初である。
|
