Grain-boundary conduction control and electrical characterization of n-type nanodiamond thin films for ultralow loss devices
Project/Area Number |
19560678
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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Research Institution | Kyushu University |
Principal Investigator |
TEII Kungen Kyushu University, 大学院・総合理工学研究院, 准教授 (10335995)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OKADA Katsuyuki 物質・材料研究機構, ナノセラミックスセンター, 主幹研究員 (10354432)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
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Keywords | カーボン材料 / プラズマ / 半導体 / ラジカル / ナノ粒子 / ダイヤモンド / 電子デバイス / ドーピング / 粒界 / CVD / 薄膜 |
Research Abstract |
ダイヤモンドは超低損失デバイスを実現し、省エネルギー・低環境負荷に貢献できる夢の半導体材料であるが、n型のドーピングが困難である。本研究では、窒素ドープナノダイヤモンド薄膜のもつ特異な粒界伝導特性の制御によって、高いn型伝導性を実証した。またその成果をもとに、ヘテロ構造デバイスの試作と評価を行い、ダイヤモンド超低損失デバイスの実現に必要な技術基盤を確立した。
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Report
(3 results)
Research Products
(25 results)