Material integration and device design for ferroelectric and dielectric thin films with ferromagnetic spin ordering
Project/Area Number |
19560707
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Structural/Functional materials
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Research Institution | Osaka Prefecture University |
Principal Investigator |
MATSUI Toshiyuki Osaka Prefecture University, 大学院・工学研究科, 准教授 (20219372)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TSUDA Hiroshi 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80217322)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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Keywords | 磁性材料 / 誘電体材料 / 磁性誘電体薄膜 / 磁気物性 / 誘電体物性 / エピタキシャル成長 / マルチフェロイック / ペロブスカイト酸化物 / パルスレーザー蒸着 / サイト置換 |
Research Abstract |
本研究は, 環境にやさしいBa系ペロブスカイト酸化物のナノ構造を制御することによる強磁性誘電体薄膜材料の創製およびその物性起源の解明を目指し, 室温強磁性を有するBa(Fe,Zr)O_3単結晶誘電体薄膜の物質開発に成功した.また, その強磁性磁気秩序の起源が, 基板と薄膜の格子定数の相違によるミスフィットに起因する歪場の形成に伴うFe^<4+>イオンの偏析にあることを明らかにした
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Report
(3 results)
Research Products
(25 results)