Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.

Research Project

Project/Area Number	19560764
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Research Field	Reaction engineering/Process system
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	TSUJI Yoshiko The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 助教 (10436529)
Research Collaborator	中村新一青山学院大学, 機器分析センター, 技術主幹
Project Period (FY)	2007 – 2008
Project Status	Completed (Fiscal Year 2008)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2008: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000) Fiscal Year 2007: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	コバルトシリサイド / スパッタ / 結晶成長 / 核発生と成長 / 配向 / 界面ラフネス / 半導体デバイス
Research Abstract	MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。

Report

(3 results)