Film formation utilizing bi-layer and (111)-slope on Si (001) substrate
| Project/Area Number |
19569003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | University of Toyama |
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Principal Investigator |
SAITO Mitsufumi University of Toyama, 地域連携推進機構・産学連携部門, 研究員 (70452092)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥2,270,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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| Keywords | ヘテロエピタキシャル成長 / インジウムアンチモン(InSb) / シリコン(Si) / MBE / InSb / Si |
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| Research Abstract |
本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。
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Report
(3 results)
Research Products
(34 results)
