| Project/Area Number |
19710088
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Nanomaterials/Nanobioscience
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| Research Institution | Osaka University (2008)
The University of Tokyo (2007) |
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Principal Investigator |
NAKAMURA Yoshiaki Osaka University, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (60345105)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
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| Keywords | ナノ構造形成・制御 / ナノ磁性 / ナノ材料 / 自己組織化 / MBE、エピタキシャル / シリサイド材料 / Si系材料 / Siデバイス / ナノドット / Si系デバイス |
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| Research Abstract |
極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe3Si ナノドットを超高密度(>10^>12cm-2)に形成する技術を開発した。鉄とSiの組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nm サイズの半球状Fe3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe_3Siナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成する技術を開発した。鉄とSi の組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nmサイズの半球状Fe_3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
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