| Project/Area Number |
19760005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Japan Advanced Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
SHIKOH Eiji Japan Advanced Institute of Science and Technology, マテリアルサイエンス研究科, 助教 (90377440)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,670,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
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| Keywords | スピンエレクトロニクス / 強磁性体 / 有機半導体 / スピン注入 / 磁気抵抗効果 / 磁性 / スピン拡散長 / 分子性固体 / 磁気抵抗 / 磁場 / トンネル障壁 |
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| Research Abstract |
環境資源問題の観点から有機分子材料を用いたスピントロニクスが非常に注目されている。本研究では有機分子材料とスピン注入源である強磁性体との界面状態を制御しやすい平面型構造素子を用い、強磁性体/有機分子/強磁性体接合の磁気抵抗効果を測定し、分子材料のスピン依存伝導特性を評価した。その結果、Ni_<80>Fe_<20>/Mq_3(M = Al, Ga)/Ni_<80>Fe_<20>接合から、Ni_<80>Fe_<20>電極の局所的な磁化状態に起因する磁気抵抗効果の観測に成功した。
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